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저자정보
설우석 (나노종합기술원) 유현 (나노종합기술원) 홍대원 (나노종합기술원) 이병주 (나노종합기술원)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2016년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2016.6
수록면
338 - 341 (4page)

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A quenching resistor is an important passive element of silicon photomultiplier has been affected by the non-uniform inflow of the hydrogen atoms during the semiconductor fabrication process. As a result, the critical problems have happened such as decrease in the resistance value and uniformity. In this paper, it was presented the method how to improve the stability and uniformity of the resistance by using the nitrogen ion implantation method to form the SixN1-x film in the surface of resistor to prevent the injection of unwanted hydrogen atoms.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결론 및 향후 연구 방향
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