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자료유형
학술저널
저자정보
기동한 (Jeonbuk National University) 진유린 (Jeonbuk National University) 김성미 (Jeonbuk National University) 조성익 (Jeonbuk National University)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제26권 제3호
발행연도
2022.9
수록면
41 - 47 (7page)

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LTV(Light to Voltage) 변환을 위한 APD(Avalanche Photo Diode)는 다른 PD(Photo Diode)와 다르게 높은전압의 동작영역을 사용하므로 TIA(Transimpedance Amplifier) 사용시 과전류 방지를 위해 Quenching 저항을 직렬로 연결하여야 한다. 그러한 경우 Quenching 저항이 TIA 전달함수에 영향을 미쳐 안정도에 심각한 결과를 초래할 수 있다. 본 논문에서는 APD Quenching 저항이 TIA의 전압과 전류 루프 전달함수에 미치는 영향을 분석하여 안정도 개선을 위한 Quenching 저항 값 결정 방법을 제안하고자 한다. 제안된 방법에 의하여 Quenching 저항을 가지는 TIA 회로를 설계하여 시뮬레이션 및 칩 제작을 통하여 동작의 안정도를 검증하였다.
#APD #TIA(Transimpedance Amplifier) #Quenching Resistor #Stability #Transfer function

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Quenching 저항 영향 분석 및 저항값 결정
Ⅲ. 시뮬레이션 및 칩 테스트 결과
Ⅳ. 결론
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