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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.6
- 수록면
- 200 - 203 (4page)
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In this paper, a reproducible bipolar resistive switching in memory cell with MIS structure (Ti/Si₃N₄/p<SUP>+</SUP>-Si) has been successfully observed. The reset current is effectively controlled by V<SUB>forming</SUB> rather than I<SUB>comp</SUB> due to current overshoot. The importance of having a low V<SUB>forming</SUB> in our sampled is also confirmed through the relationships among V<SUB>forming</SUB>, V<SUB>reset</SUB>, and I<SUB>reset</SUB>. By adding post-annealing process, V<SUB>forming</SUB> can be successfully reduced. Also, all parameters including I<SUB>reset</SUB> are reduced for reliability operation as well as low power switching.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결론
참고문헌
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