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안민준 (경북대학교) 이도경 (경북대학교) 김현욱 (경북대학교) 강희범 (경북대학교) 우지용 (경북대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2021년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2021.11
수록면
100 - 103 (4page)

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본 연구에서는 뉴로모픽 시냅스로 사용하기 위하여 HfO₂ 기반 저항변화 메모리 (RRAM) 소자에서 멀티레벨 확보 전략과 각 상태의 안정성에 관하여 보고한다. 전압에 따라 HfO₂ 내 존재하는 Oxygen vacancy들의 움직임으로 구동되는 RRAM 소자에서 멀티레벨 저항상태는 Compliance current나 Reset voltage를 조절하여 확보 가능함을 확인했다. 특히, 측정 방법과 무관하게 하나의 메모리 셀당 4개의 저항상태를 나타내는 Multi level cell (MLC) 동작은 가능하지만, RRAM 셀의 지름이 5㎛에서 500㎚로 작아질수록 Reset voltage를 조절하는 방식이 각 저항상태 간의 충분한 Margin을 확보하는 데 유리함을 밝혔다. 더 나아가, 전류-전압 그래프에서의 기울기 분석과 85oC까지의 온도 의존성을 평가하여 셀 면적의 변화에 따른 Oxygen vacancy 양 차이가 MLC 동작 안정성에 미치는 영향을 분석했다.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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