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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.12
- 수록면
- 59 - 65 (7page)
- DOI
- 10.5207/JIEIE.2019.33.12.059
이용수
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In this paper, we demonstrated a reversible current switching in a two-terminal device based on a vanadium dioxide(VO₂) and aluminium nitride(AlN) heterostructure thin film grown on a silicon(Si) substrate using near-infrared laser pulses. The fabricated VO₂/AlN device has a phase transition temperature ∼10K higher than conventional VO₂ devices grown on sapphire substrates. Current switching operation of up to 50mA was possible at various pulse repetition rates in the device with smaller dimensions owing to the increased phase transition temperature, and the average switching contrast was calculated as ∼9634. In particular, the average rising time of the switched current was measured to be ∼36ms, and the falling time was less than 10ms, which is a significantly improved result. Due to the high phase transition temperature and fast switching response, the fabricated device is expected to be beneficially applied to laser-assisted current switching.
목차
Abstract
1. 서론
2. 소자 제작 및 기초 특성 조사
3. 스위칭 실험 구성 및 결과 논의
4. 결론
References
참고문헌 (14)
참고문헌 신청
T. Driscoll, H.-T. Kim, B.-G. Chae, M. Di Ventra, and D. N. Basov, “Phase-transition driven memristive system,” Applied Physics Letters, vol. 95, pp. 043503(1-3), 2009.
Y. Zhou, X. Chen, C. Ko, Z. Yang, C. Mouli, S. Ramanathan, “Voltage-triggered ultrafast phase transition in vanadium dioxide switches,” IEEE Electron Device Letters, vol. 34, pp. 220-222, 2013.
S. Zhang, M.A. Kats, Y. Cui, Y. Zhou, Y. Yao, S. Ramanathan, F. Capasso, “Current-modulated optical properties of vanadium dioxide thin films in the phase transition region,” Applied Physics Letters, vol. 105, pp. 211104(1-4), 2014.
F. J. Morin, “Oxides which show a metal-insulator transition at the Neel temperature,” Physical Review Letters, vol. 3, pp. 34-36, 1959.
B.-J. Kim, G. Seo, J. Choi, H.-T. Kim, and Y. W. Lee, “Laser-Assisted Control of Electrical Oscillation in VO2 Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition,” Japanese Journal of Applied Physics, vol. 51, pp. 107302(1-5), 2012.
Y. Zhou, X. Chen, C. Ko, Z. Yang, C. Mouli, S. Ramanathan, “Voltage-triggered ultrafast phase transition in vanadium dioxide switches,” IEEE Electron Device Letters, vol. 34, pp. 220-222, 2013.
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