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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.11
- 수록면
- 950 - 953 (4page)
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Since AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors (HFETs) are pursuing fast switching operation, the parasitic elements caused by interconnection between devices and ICs becomes an important issue in GaN based power ICs. In particular, the parasitic inductance results in large overshooting effects in signal and limits safety operation area, which, in turn, degrades conversion efficiency. In this work, two examples of monolithic integration technology between GaN power device and functional blocks are demonstrated; embedded gate driver and clamped circuits.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 모노리식 게이트 드라이버를 통한 전력손실 감소
Ⅲ. Clamp 회로의 모노리식 집적화를 통한 normally-off 소자 구현
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
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