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논문 기본 정보

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저자정보
박현준 (광주과학기술원) 나정효 (충남대학교) Emanuel Tutuc (텍사스대학교오스틴) 설재훈 (광주과학기술원)
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 논문집 B권 대한기계학회논문집 B권 제39권 제10호
발행연도
2015.10
수록면
825 - 829 (5page)

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나노선에서 코어-셸 헤테로 구조를 도입함으로써 열 전도율을 낮출 수 있으며, 이로 인해 열전 효율(ZT)을 향상시킬 수 있다는 것이 이론 연구를 통해 제안되었다. 본 논문에서는 코어-셸 나노선의 열전도율 감소를 실험적인 방법을 통해 확인하였다. 화학증기 증착법을 통해 만든 게르마늄-규소 <SUB>x</SUB> 게르마늄 <SUB>1-x</SUB>(Ge?Si<SUB>x</SUB>Ge<SUB>1-x</SUB>) 코어-셸 나노선의 열전도율을 마이크로 크기의 뜬 디바이스를 이용하여 측정하였다. 셸에서 측정된 실리콘의 함유율(x)는 0.65 로 확인하였으며, 게르마늄은 코어와 셸 사이에서, 격자 불일치(lattice mismatch)에서 비롯된 결점(defect)와 같은 역할을 한다. 또한, 4-point I-V 측정실험에, 휘트스톤 브릿지 실험을 추가 진행함으로써 측정 민감도를 강화하였다. 측정된 열전도율은 상온에서 9~13 W/mK 으로써, 비슷한 지름을 가지는 게르마늄 나노선과 비교하였을 때, 열전도율이 약 30 % 낮아졌음을 확인하였다.

목차

초록
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 측정결과
4. 결론
참고문헌 (References)

참고문헌 (1)

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