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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.1
- 발행연도
- 2016.2
- 수록면
- 31 - 38 (8page)
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A novel self-reference sense amplifier with parallel reading during writing operation is proposed. Read access time is improved compared to conventional self-reference scheme with fast operation speed by reducing operation steps to 1 for read operation cycle using parallel reading scheme, while large sense margin competitive to conventional destructive scheme is obtained by using self-reference scheme. The simulation was performed using standard 0.18 mm CMOS process. The proposed selfreference sense amplifier improved not only the operation speed of less than 20 ns which is comparable to non-destructive sense amplifier, but also sense margin over 150 mV which is larger than conventional sensing schemes. The proposed scheme is expected to be very helpful for engineers for developing MRAM technology.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. SELF-REFERENCE SENSE-AMPLIFIER
Ⅲ. CIRCUIT DESCRIPTION
Ⅳ. SIMULATION DESCRIPTION
Ⅴ. SIMULATION RESULTS
Ⅵ. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (8)
참고문헌 신청
S. Yuasa, et al, “Giant room-temperature magnetoresistance in single-crystal Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junction,” Nature materials, 2010, Vol 3, pp. 868-871, Dec. 2010.
Y. Lu, et at., “Bias voltage and temperature dependence of magnetotunneling effect,” Journal of Applied Physics, Vol. 83, No. 11, pp. 6515-6517, Jun. 1998.
G. Y. Jeong, et al, “A 0.24-μm 2.0-V 1T1MTJ 15- kb Non-volatile Magnetoresistance RAM With Self-Reference Sensing Scheme,” IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 38, No. 11, pp. 1906- 1910, Nov., 2003.
H. Tanizaki, et al, “A high-density and high-speed 1T-4MTJ MRAM with Voltage Offset Self- Reference Sensing Scheme,” Solid-State Circuits Conference, 2006. ASSCC 2006. IEEE Asian, 13- 15, pp. 303-306, Nov., 2006.
Y. Chen, et al, “Combined Magnetic- and Circuitlevel Enhancements for the Nondestructive Self- Reference Scheme of STT-RAM,” Symposium on Low Power Electronics and Design, ISLPED 2010, IEEE International, pp. 1-6, Aug., 2010
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Y. Chen, et al, “Combined Magnetic- and Circuitlevel Enhancements for the Nondestructive Self- Reference Scheme of STT-RAM,” Symposium on Low Power Electronics and Design, ISLPED 2010, IEEE International, pp. 1-6, Aug., 2010
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