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To fabricate white LED having a high color rendering index value, red color phosphor mixed with the green color phosphor together in the blue chip, namely the blue chips with RG phosphors packaging is most favorable for high power white LEDs. In our previous papers, we reported on successful syntheses of Sr₂-Si<SUB>5</SUB>N<SUB>8</SUB>:Eu<SUP>2+</SUP> and CaAlSiN₃ phosphors for red phosphor. In this work, for high power green phosphor, greenemitting ternary nitride Ba₃Si<SUB>6</SUB>O<SUB>12</SUB>N₂:Eu<SUP>2+</SUP> phosphor was synthesized in a high frequency induction furnace under N₂ gas atmosphere at temperatures up to 1400℃ using EuF₃ as a raw material for Eu<SUP>2+</SUP>dopant. The effects of molar ratio of component and experimental conditions on luminescence property of prepared phosphors have been investigated. The structure and luminescence properties of prepared Ba₃Si<SUB>6</SUB>O<SUB>12</SUB>N₂:Eu<SUP>2+</SUP> phosphors were investigated by XRD and photoluminescence spectroscopy. The excitation spectra of Ba₃Si<SUB>6</SUB>O<SUB>12</SUB>N₂:Eu<SUP>2+</SUP> phosphors indicated broad excitation wavelength range of 250 - 500 nm, namely from UV to blue region with distinct enhanced emission spectrum peaking at ≈ 530 nm.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experimental
3. Results and Discussion
4. Conclusion
References
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