온도에 따른 InZnP/ZnSe/ZnS (핵/다중껍질) 양자점의 형광 특성 변화

손민지; 정현성; 이윤기; 구은회; 방지원

doi:https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.7.443

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저자정보: 손민지 (한국세라믹기술원) 정현성 (한국세라믹기술원) 이윤기 (경상대학교) 구은회 (한국세라믹기술원) 방지원 (한국세라믹기술원)

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제31권 제7호

발행연도: 2018.11

수록면: 443 - 449 (7page)

DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.7.443

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We investigated the temperature-dependent photoluminescence spectroscopy of colloidal InZnP/ZnSe/ZnS (core/shell/shell) quantum dots with varying ZnSe and ZnS shell thickness in the 278~363 K temperature range. Temperaturedependentphotoluminescence of the InZnP-based quantum dot samples reveal red-shifting of the photoluminescence peaks,thermal quenching of photoluminescence, and broadening of bandwidth with increasing temperature. The degree of bandgapshifting and line broadening as a function of temperature is affected little by shell composition and thickness. However, the thermal quenching of the photoluminescence is strongly dependent on the shell components. The irreversiblephotoluminescence quenching behavior is dominant for thin-shell-deposited InZnP quantum dots, whereas thick-shelledInZnP quantum dots exhibit superior thermal stability of the photoluminescence intensity.

#InP #Quantum dots #Photoluminescence #Temperature

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M. Bruchez Jr. / 1998 / Semiconductor Nanocrystals as Fluorescent Biological Labels / Science 281(5385):2013~2016

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Yiran Jiang / 2018 / Light-emitting diodes of colloidal quantum dots and nanorod heterostructures for future emissive displays / Journal of Materials Chemistry C 6(11):2618~2634

Kyung-Sang Cho / 2017 / Color-selective photodetection from intermediate colloidal quantum dots buried in amorphous-oxide semiconductors / Nature Communications 8(1)

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