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학술저널
저자정보
Bobo Yang (Shanghai Institute of Technology) Jiayue Xu (Shanghai Institute of Technology) Jun Zou (Shanghai Institute of Technology) Yan Zhang (Shanghai Institute of Technology) Tian Tian (Shanghai Institute of Technology) Yaoqing Chu (Shanghai Institute of Technology) Meiling Wang (Shanghai Institute of Technology)
저널정보
한양대학교 세라믹공정연구센터 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제17권 제6호
발행연도
2016.6
수록면
537 - 542 (6page)

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Tm3+, Dy3+ and Tm3+/Dy3+ co-doped bismuth silicate (Bi4Si3O12, BSO) crystals were successfully grown by the modified verticalBridgeman method. The crystals have about 80% transmittance in the range from 320 nm to 650 nm except several obviouscharacteristic absorption peaks corresponding to transitions of 4f electrons of Tm3+ and Dy3+. The luminescence properties forwhite light emitting diode (w-LED) were investigated. Energy transfer from the Bi3+ ions to the Tm3+ and Dy3+ ions in Tm3+or/and Dy3+ co-doped Bi4Si3O12 crystal has been established by photoluminescence investigation upon UV excitation. Whenexcited by a proper UV-light, Tm3+ doped BSO crystal shows blue emission band centered at 460 nm ascribed to Tm3+ (1D2→ 3F4), Dy3+ doped BSO crystal shows blue band at 480 nm (4F9/2→ 6H15/2), yellow band at 574 nm (4F9/2→ 6H13/2) and red bandat 662 nm (4F9/2→ 6H11/2) of Dy3+ ions. A white light with chromaticity coordinate of x = 0.3298, y = 0.2905 by excitation of357 nm is achieved from Tm3+/Dy3+ co-doped Bi4Si3O12 crystal. These results indicate that Tm3+/Dy3+ co-doped Bi4Si3O12 as awhite emitting crystal has a potential application in white-LED.
#Crystal growth #Tm3+/Dy3+:Bi4Si3O12 #Photoluminescence #Energy transfer #White-LED

목차

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E.F. Schubert / 2005 / Science 308:1274 google schola N. Kimura / 2007 / Appl. Phys. Lett 90:051109 google schola J.H. Wold / 2000 / Color Res. Appl 26(S1):S222 google schola M. Bessho / 2012 / Electr. Commun. Jpn 95:1~7 google schola Y. Zhou / 2014 / J. Alloys Compd 615:624~628 google schola

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