A 2-D Model for the Potential Distribution and Threshold Voltage of Fully Depleted Short-Channel Ion - Implanted Silicon MESFET’s

S. Jit ,  Sau ,  abh Mo 외 5명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2005 .09

Short Channel GaAs MESFET의 채널전하분포와채널전하에 의한 전위장벽의 변화

원창섭 ,  안형근 ,  류세환 외 2명

전기전자재료학회논문지

2006 .01

이중 δ 도핑 채널 MESFET의 특성향상

이관흠 ,  이찬호

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

이중 δ 도핑 채널 MESFET의 특성향상 ( Performance Improvement of Double δ-doped Channel MESFET's )

이관흠 ,  이찬호

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

Short-gate SOI MESFET의 문턱 전압 표현 식 도출을 위한 해석적 모델

갈진하 ,  서정하

전자공학회논문지-SD

2008 .07

GaAs MESFET의 새로운 드레인 전류 모델 ( A New Drain-Current Model OF GaAs MESFET )

조영송 ,  신철재

전자공학회논문지-A

1995 .08

Epilayer Optimization of NPN SiGe HBT with n+ Buried Layer Compatible With Fully Depleted SOICMOS Technology

P ,  asanna Kuma ,  Mis 외 3명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2014 .06

TWO-DIMENSIONAL SIMULATION OF GaAs MESFET`s

Sang Hee Son ,  Jang Woo Pa ,  k 외 3명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

A Simple Technique to Measure Generation Lifetime in Partially Depleted SOI MOSFETs

Hyung Cheol Shin

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

Drain induced barrier lowering and impact ionization effects in short channel polysilicon TFTs

Fo ,  tunato ,  G. 외 14명

한국정보디스플레이학회 International Meeting

2008 .01

MESFET 채널전류 측정용 펄스 I-V 시스템 ( A Pulsed I-V System to Measure the Channel Current of MESFETs )

노태문 ,  김영식 ,  서영석 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .05

SOI(Silicon-on-Insulator) 소자에서 후면 Bias에 대한 전기적 특성의 의존성

강재경 ,  박재홍 ,  김철주

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

다중 게이트을 이용한 부분 공핍형 SOI MOSFET 특성에 관한 연구

신경식 ,  박윤권 ,  이성준 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1997 .07

SOI 기술의 연구동향

이종현

전자공학회지

1987 .08

Analytical Characterization of a Dual-Material Double-Gate Fully-Depleted SOI MOSFET with Pearson-Ⅳ type Doping Distribution

Alok Kushwaha ,  Manoj K. Pandey ,  Sujata Pandey 외 1명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2007 .06

Review of GaAs Mesfet Modeling

이귀로

한국통신학회 워크샵

1986 .01

채널길이 변화를 이용한 GaAs MESFET의 모델 ( A Model of GaAs MESFET with Channel Length Modulation )

임재완 ,  윤현로 ,  이기준

전자공학회논문지

1990 .04

측정된 S-파라메터를 이용한 MESFET Model의 단순화 ( A Simplified MESFET Modeling from Measured S-Parameters )

윤영철 ,  김병철 ,  강인호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1988 .01

GaAs MESFET의 이차원 해석 ( Two-Dimensional Analysis of GaAs MESFET )

장윤영 ,  송정근 ,  홍창희

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

A Unified Analytical One-Dimensional Surface Potential Model for Partially Depleted (PD) and Fully Depleted (FD) SOI MOSFETs

RAHUL PANDEY ,  ALOKE K. DUTTA

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2011 .12