메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Prasanna Kumar Misra (IIT Kanpur) S. Qureshi (IIT Kanpur)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.14 No.3
발행연도
2014.6
수록면
274 - 283 (10page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
In this paper, the epi layer of npn SOI HBT with n+ buried layer has been studied through Sentaurus process and device simulator. The doping value of the deposited epi layer has been varied for the npn HBT to achieve improved f<SUB>t</SUB>BV<SUB>CEO</SUB> product (397 GHzV). As the BV<SUB>CEO</SUB> value is higher for low value of epi layer doping, higher supply voltage can be used to increase the ft value of the HBT. At 1.8 V V<SUB>CE</SUB>, the f<SUB>t</SUB>BV<SUB>CEO</SUB> product of HBT is 465.5 GHzV. Further, the film thickness of the epi layer of the SOI HBT has been scaled for better performance (426.8 GHzV f<SUB>t</SUB>BV<SUB>CEO</SUB> product at 1.2 V V<SUB>CE</SUB>). The addition of this HBT module to fully depleted SOI CMOS technology would provide better solution for realizing wireless circuits and systems for 60 GHz short range communication and 77 GHz automotive radar applications. This SOI HBT together with SOI CMOS has potential for future high performance SOI BiCMOS technology.
#Fully depleted #sentaurus #SiGe HBT #SOI

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. NPN SOI HBT WITH BURIED LAYER
Ⅲ. OPTIMIZATION OF EPI LAYER DOPING IN SOI HBT
Ⅳ. SCALING OF EPI LAYER THICKNESS OF SOI HBT
Ⅴ. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (0)

참고문헌 신청
참고문헌이 DBpia에서 서비스 중이라면, [참고문헌 신청]을 통해 등록해보세요

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

QCA 클록킹 방식의 D 플립플롭을 이용한 프로그램 가능한 양자점 셀 구조의 설계
신상호 ,  전준철 한국산업정보학회논문지 2014 .12
자세에 따른 생체임피던스 변화와 혈압 특성 분석
조영창 ,  김민수 한국산업정보학회논문지 2014 .10
Changes in Poly ADP Ribose Polymerase Immune Response Cells of Cerebral Ischaemia Induced Rat by Transcranial Magnetic Stimulation of Alternating Current Approach
Hyun-Mo Koo ,  Whi-Young Kim Journal of Magnetics 2014 .12
Speed and Current Sensor Fault Detection and Isolation Based on Adaptive Observers for IM Drives
Yong Yu ,  Ziyuan Wang ,  Dianguo Xu 외 2명 JOURNAL OF POWER ELECTRONICS 2014 .09
Improvement of Device Characteristic on Solution-Processed InGaZnO Thin-Film-Transistor (TFTs) using Microwave Irradiation
Sung-Wan Moon ,  Won-ju Cho JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2015 .04

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2015-560-002911215