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이용수
1990
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
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Pseudomorphic InxGa1-xAs ( x > 0.53 ) / In0.53 Al0.48 As Modulation-Doped Heterostructures의 Low-Field Transport와 계면에 관한 연구 ( Low-Field Transport and InterFace Properties of Pseudomorphic InxGa1-xAs / In0.53Al0.48 As Modulation-Doped Heterostructures )
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
$CU(InGa)Se_2$ 광흡수층의 성장온도에 따른 특성 분석
한국재료학회 학술발표대회
2002 .01
이종기판에 형성된 Cu(InGa)Se₂ 박막의 전기ㆍ광학적 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .07
몰리브덴 전극의 형성조건에 따른 Cu(InGa)Se₂ 박막 태양전지의 특성
전기학회논문지 C
2001 .12
Spray Coatings of AlO Layer for Passivation of AlO-SiO-based Refractory
한국방사성폐기물학회 학술대회
2017 .01
Cu(InGa)Se₂ 박막의 Cu/(In+Ga) 조성비에 따른 전기적 물성특성
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .07
금속산화 박막 전기소자의 전기적 특성 연구
한국인터넷방송통신학회 논문지
2011 .01
2차원 양자 역학적 해석에 의한 고속 통신용 AlxGal-xAs/GaxIn1-xAs/GaAs HEMT 소자의 전자 농도 및 전위분포 계산 ( Calculation of Electron concentration and Electrostatic potential profile for AlxGal-xAs/GaxIn1-xAs/GaAs HEMT device by 2-Dimensional Quantum Mechanical analysis )
전자공학회논문지-A
1993 .03
γ-Al2O3로부터 가역과정을 경유한 AlO(OH) 나노콜로이드의 합성
대한기계학회 춘추학술대회
2009 .04
Cu(InGa)Se₂ 박막 제조시 OVC층의 증발시간에 따른 광변환효율 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .07
Low-Field Hole Transport Properties of AIGaAs / GaAs and pseudomorphic AIGaAs / InGaAs Modulation-Doped Heterostructures
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
Low operating voltage and long lifetime organic light-emitting diodes with vanadium oxide $(V_2O_5)$ doped hole transport layer
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2006 .01
Cu(InGa)Se₂ 광흡수층의 후면전극 제조조건 및 기판에 함유된 Na 확산현상 고찰
한국태양에너지학회 학술대회논문집
1999 .10
AlxGa-xAs : Sn의 DX Center
대한전자공학회 단기강좌
1986 .01
수소에 의한 InO의 환원반응속도론 연구
공업화학
1992 .01
La이 도핑된 CuO-ZnO-AlO 복합 산화물의 합성공정개발
한국재료학회지
2011 .01
MODFET의 AlxGa1-xAs Layer내의 특성 모델 ( A Model for Characteristics in the AlxGa1-xAs Layer of MODFET's )
전자공학회논문지
1987 .05
CIGS 박막 태양전지의 광흡수층과 Sodium과의 상관특성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
Doping 된 3-5족 화합물 반도체 계면에서 공간전하효과 ( Space Charge Effects at Doped 3-5 Compound Semiconductor Interfaces )
전자공학회논문지
1990 .02
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