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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 9 - 14 (6page)
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$AlO_x$ 박막 소자를 제작하여 전기적 특성을 조사하였다. 소자는 Electrode를 Top-bottom구조로 제작하였으며 스위칭 특성을 연구하기 위해 전극간의 $AlO_x$ 박막의 전도특성이 측정되었다. 박막소자의 저항변화는 전압을 선형적으로 인가하여 측정하였다. 제작된 소자는 MIM구조로써 외부에서 인가하는 전기적 신호에 의하여 전기전도도가 큰 On-state와 전기전도도가 낮은 Off-state로 바뀌는 특성을 나타내었다. 본 연구에 사용된 $AlO_x$ 박막은 초기 저항 상태가 저저항 On 상태였으며, 전압을 인가함에 따라 저저항 On 상태와 고저항 Off 상태의 가역적 저항 변화 특성을 나타내었다. 본 연구를 통하여 $AlO_x$ 박막소자는 차세대 비휘발성 메모리로는 물론 다른 전기적 응용도 기대되는 물질임을 확인하게 되었다.
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참고문헌 (16)
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Yutaka Nishioka / 2007 / 遷移金属酸化物を用いた超大容量不揮発性メモリとその極微細加工プロセスに関する研究開発 / Ulvac technical jurnal (67E)
이동수 / 2005 / 차세대 비휘발성 Oxide 저항변화 메모리(ReRAM)" / 물리학과 첨단기술
최성재 / 2009 / 이성분계 금속산화물의 물성연구 / 한국인터넷방송통신학회춘계학술대회논문집 :229~232
D.S. Kim / 2006 / Growth and Characterization of Pr0.7Ca0.3MnO3 Thin Films for Resistance Random Access Memory / Journal of the Korean Physical Society 49(III):557~561
M. Villafuerte / 2007 / Resistance switching induced by electric fields in manganite thin films / Journal of Physics: Conference Series 59:483
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