MOCVD를 이용한 GaInAsP / InP 내부전반사형 광교환소자의 에피 결정성장 ( Epitaxial Growth of GalnAsP / InP TIR Type Optical Switch By MOCVD )

오대곤 ,  오광룡 ,  박기성 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

1.3μm GaInAsP / InP 표면 발광형 LED 제작 및 특성 ( The fabrication of the 1.3μm GaInAsP / InP surface emitting LED and its characteristics )

박문호 ,  오광룡 ,  이용탁

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

n-InP / p-GaInAsP / n-InP 이중 이종접합 구조 트랜지스터 제작 및 특성 ( Fabrication of n-InP / p-GaInAsP / N-InP Double Heterojunction Bipolar Transistor and Its Static Characteristics )

오광룡 ,  김정수 ,  주무정 외 1명

특정연구 결과 발표회 논문집

1988 .01

측방향으로 기울어진 활성층을 가진 1.3㎛ GaInAsP / InP 반도체 레이저 ( 1.3㎛ GaInAsP / InP Laser Diode with Laterally Tapered Active Layer )

조호성 ,  홍창희

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

1.3μm GaInAsP / InP DH LD에서의 Zn 확산 특성 ( Zn diffusion Characteristics into the InP Clad layer of the 1.3μm GaInAsP / InP Laser Diode )

심종인 ,  남은수 ,  오광룡 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

1.3um GaInAsP/InP DH LD 에서의 Zn확산특징

심종인 ,  남은수 ,  오광룡 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .06

1.3μm GaInAsP / p-InP BH형 레이저의 상온 연속발진 ( CW Operation of 1.3μm GaInAsP / p-InP BH Lasers at Room Temperature )

유태경 ,  정기웅 ,  권영세 외 1명

전자공학회논문지

1986 .11

편광 비의존성 GaInAs/GaInAsP/InP 반도체 광 증폭기 구조에 관한 연구

박윤호 ,  강병권 ,  이석 외 4명

한국정보통신학회논문지

1999 .09

LPE에 의한 1.3μm GaInAsP/InP DH 레이저의 제작 및 발진특성 ( Lasing Characteristics of 1.3μm GaInAsP/InP DH Laser Grown By LPE )

신동혁 ,  유태환 ,  김홍구 외 5명

전자공학회지

1985 .07

n-InP / p-GaInAsP / n-InP 이중 이종접합 구조 트랜지스터 제작 및 특성 ( Fabrication of n-InP / p-GalnAsP / n-InP Double Heterojunction Bipolar Transistor and Its Static Characteristics )

오광룡 ,  김정수 ,  주무정 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1988 .01

Characteristics of 1310㎚ GaInAsP-InP Fabry-Perot Semiconductor Laser Diode

Jae Ho Han ,  Zail Lhee ,  Seung-Bae Pa 외 5명

한국통신학회 기타 간행물

2004 .11

LP-MOCVD 방법에 의한 InP , InGaAs의 성장

박형수 ,  문영부 ,  손철수 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

응력완화 1,3μm GaInAsP/InP Uncooled-LD의 다중양자우물층과 SCH층 구조에 따른 동작 특성 ( The Operating Characteristics of Strain-Compensated 1.3μm GaInAsP/InP Uncooled-LD with the Structure of Multiple Quantum Well and Separate Confinement Heterostructure Layers )

조호성 ,  박경현 ,  이중기 외 6명

전자공학회논문지-A

1996 .07

Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 $\textrm{Si}_3\textrm{N}_4$/InP의 접합특성

김선운 ,  신동석 ,  이정용 외 1명

한국재료학회지

1998 .01

Growth Interruption Effects on Inp / InGaAs / InP Heterointerfaces Grown by LP-MOCVD

문영부 ,  윤의준

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Inp 기판위에 MOCVD 로 성장된 $In_{0.52}Al_{0.48}As$ 박막에서의 3가지 형태의 규칙상의 공존

김동찬 ,  조형균

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

P+ -In_0.53Ga_0.47As/InP의 저항성 접촉 특성

김남준 ,  이재혁 ,  김돈수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .06

수평형 MOCVD 반응기 내의 InP 필름성장 제어인자에 대한 영향 평가

임익태

대한기계학회 춘추학술대회

2003 .11

InP / InP , InCaAs / InP 의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )

박기성 ,  오대곤 ,  주무정 외 1명

특정연구 결과 발표회 논문집

1988 .01