측방향으로 기울어진 활성층을 가진 1.3㎛ GaInAsP / InP 반도체 레이저 ( 1.3㎛ GaInAsP / InP Laser Diode with Laterally Tapered Active Layer )

조호성 ,  홍창희

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

1.3μm GaInAsP / InP 표면 발광형 LED 제작 및 특성 ( The fabrication of the 1.3μm GaInAsP / InP surface emitting LED and its characteristics )

박문호 ,  오광룡 ,  이용탁

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

1.3μm GaInAsP / InP DH LD에서의 Zn 확산 특성 ( Zn diffusion Characteristics into the InP Clad layer of the 1.3μm GaInAsP / InP Laser Diode )

심종인 ,  남은수 ,  오광룡 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

n-InP / p-GaInAsP / n-InP 이중 이종접합 구조 트랜지스터 제작 및 특성 ( Fabrication of n-InP / p-GaInAsP / N-InP Double Heterojunction Bipolar Transistor and Its Static Characteristics )

오광룡 ,  김정수 ,  주무정 외 1명

특정연구 결과 발표회 논문집

1988 .01

LPE에 의한 1.3μm GaInAsP/InP DH 레이저의 제작 및 발진특성 ( Lasing Characteristics of 1.3μm GaInAsP/InP DH Laser Grown By LPE )

신동혁 ,  유태환 ,  김홍구 외 5명

전자공학회지

1985 .07

1.3um GaInAsP/InP DH LD 에서의 Zn확산특징

심종인 ,  남은수 ,  오광룡 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .06

LPE에 의한 InGaAsP / InP1.3㎛ BH 구조 반도체 레이저 제작 및 상온 연속발진 특성 조사 ( InGaAsP / InP1.3㎛ BH LD Fabricated by LPE and CW Operation at Room Temperature )

유태환 ,  박경현 ,  이승원 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1987 .01

LPE에 의한 InGaAsP/InP 1.3 um BH 구조 반도체 레이저 제작및 상온 연속 발진 특성 조사

유태환 ,  오광룡 ,  남은수 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

Characteristics of 1310㎚ GaInAsP-InP Fabry-Perot Semiconductor Laser Diode

Jae Ho Han ,  Zail Lhee ,  Seung-Bae Pa 외 5명

한국통신학회 기타 간행물

2004 .11

MOCVD를 이용한 GaInAsP/InP 내부전반사형 광교환소자의 에피 결정성장

오대곤 ,  오광룡 ,  박기성 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

n-InP / p-GaInAsP / n-InP 이중 이종접합 구조 트랜지스터 제작 및 특성 ( Fabrication of n-InP / p-GalnAsP / n-InP Double Heterojunction Bipolar Transistor and Its Static Characteristics )

오광룡 ,  김정수 ,  주무정 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1988 .01

편광 비의존성 GaInAs/GaInAsP/InP 반도체 광 증폭기 구조에 관한 연구

박윤호 ,  강병권 ,  이석 외 4명

한국정보통신학회논문지

1999 .09

응력완화 1,3μm GaInAsP/InP Uncooled-LD의 다중양자우물층과 SCH층 구조에 따른 동작 특성 ( The Operating Characteristics of Strain-Compensated 1.3μm GaInAsP/InP Uncooled-LD with the Structure of Multiple Quantum Well and Separate Confinement Heterostructure Layers )

조호성 ,  박경현 ,  이중기 외 6명

전자공학회논문지-A

1996 .07

LPE에 의한 InGaAaP / InP 1.3μm BH구조 반도체 레이저 제작 및 상온 연속 발전 특성 조사 ( InGaAaP / InP 1.3μm BH LD Fabricated by LPE and CW Operation at Room Temperature )

유태환 ,  오광룡 ,  남은수 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

BH레이저 다이오드의 제작

유회준 ,  권영세

대한전자공학회 학술대회

1985 .06

BH 레이저 다이오드의 제작 ( Fabrication of BH Laser Diode )

유회준 ,  권영세

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 $\textrm{Si}_3\textrm{N}_4$/InP의 접합특성

김선운 ,  신동석 ,  이정용 외 1명

한국재료학회지

1998 .01

파쇄대 응회암 대수층의 지하수 유동 특성화 기법

김용제 ,  김태희 ,  김구영 외 2명

지하수토양환경

2005 .01

1.5 ㎛ InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 레이저의 상온 연속발진 특성 분석

임정순 ,  이재훈 ,  이동한 외 4명

한국통신학회 기타 간행물

2004 .11

P+ -In_0.53Ga_0.47As/InP의 저항성 접촉 특성

김남준 ,  이재혁 ,  김돈수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .06