1.3μm GaInAsP / InP DH LD에서의 Zn 확산 특성 ( Zn diffusion Characteristics into the InP Clad layer of the 1.3μm GaInAsP / InP Laser Diode )

심종인 ,  남은수 ,  오광룡 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

1.3μm GaInAsP / InP 표면 발광형 LED 제작 및 특성 ( The fabrication of the 1.3μm GaInAsP / InP surface emitting LED and its characteristics )

박문호 ,  오광룡 ,  이용탁

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

측방향으로 기울어진 활성층을 가진 1.3㎛ GaInAsP / InP 반도체 레이저 ( 1.3㎛ GaInAsP / InP Laser Diode with Laterally Tapered Active Layer )

조호성 ,  홍창희

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

1.3um GaInAsP/InP DH LD 에서의 Zn확산특징

심종인 ,  남은수 ,  오광룡 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .06

1.3μm GaInAsP / p-InP BH형 레이저의 상온 연속발진 ( CW Operation of 1.3μm GaInAsP / p-InP BH Lasers at Room Temperature )

유태경 ,  정기웅 ,  권영세 외 1명

전자공학회논문지

1986 .11

n-InP / p-GaInAsP / n-InP 이중 이종접합 구조 트랜지스터 제작 및 특성 ( Fabrication of n-InP / p-GaInAsP / N-InP Double Heterojunction Bipolar Transistor and Its Static Characteristics )

오광룡 ,  김정수 ,  주무정 외 1명

특정연구 결과 발표회 논문집

1988 .01

Ga_xIn_(1-x) As_(1-y) P_y / InP의 LPE 성장을 위한 Phase Diagram 계산

신동혁 ,  유태환 ,  이용탁 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1984 .11

Characteristics of 1310㎚ GaInAsP-InP Fabry-Perot Semiconductor Laser Diode

Jae Ho Han ,  Zail Lhee ,  Seung-Bae Pa 외 5명

한국통신학회 기타 간행물

2004 .11

LPE에 있어서 InP기판의 열손상 상태와 melt back 특성 ( Thermal Damages and Melt Back Characteristics of InP Substrate in the LPE Growth )

조호성 ,  오종환 ,  홍창희

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

n-InP / p-GaInAsP / n-InP 이중 이종접합 구조 트랜지스터 제작 및 특성 ( Fabrication of n-InP / p-GalnAsP / n-InP Double Heterojunction Bipolar Transistor and Its Static Characteristics )

오광룡 ,  김정수 ,  주무정 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1988 .01

MOCVD를 이용한 GaInAsP/InP 내부전반사형 광교환소자의 에피 결정성장

오대곤 ,  오광룡 ,  박기성 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

편광 비의존성 GaInAs/GaInAsP/InP 반도체 광 증폭기 구조에 관한 연구

박윤호 ,  강병권 ,  이석 외 4명

한국정보통신학회논문지

1999 .09

수직형LPE에 의한 InGaAsP ( 1.3μm ) / InP 다층박막 결정성장 ( The Thin Multi Layer Crystal Growth of InGaAsP ( 1.3μm ) / InP by Vertical LPE System )

조호성 ,  오종환 ,  김경식 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

LPE에 의한 InGaAsP / InP1.3㎛ BH 구조 반도체 레이저 제작 및 상온 연속발진 특성 조사 ( InGaAsP / InP1.3㎛ BH LD Fabricated by LPE and CW Operation at Room Temperature )

유태환 ,  박경현 ,  이승원 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1987 .01

InGaAsP/InP Double Heterostructure의 LPE 성장

채태일

한국재료학회 학술발표대회

1992 .01

LPE에 의한 InGaAsP/InP 1.3 um BH 구조 반도체 레이저 제작및 상온 연속 발진 특성 조사

유태환 ,  오광룡 ,  남은수 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

응력완화 1,3μm GaInAsP/InP Uncooled-LD의 다중양자우물층과 SCH층 구조에 따른 동작 특성 ( The Operating Characteristics of Strain-Compensated 1.3μm GaInAsP/InP Uncooled-LD with the Structure of Multiple Quantum Well and Separate Confinement Heterostructure Layers )

조호성 ,  박경현 ,  이중기 외 6명

전자공학회논문지-A

1996 .07

LPE 에 의한 InGaAsP / InP MQW-LD제작에 관한 연구

조호성 ,  오종환 ,  예병덕 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1992 .07

LPE에 의한 InGaAsp/Inp MQW-LD제작에 관한 연구

조호성 ,  오종환 ,  예병덕 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1992 .06

LPE에 의해 제작된 InGaAsP / InP MQW-LD의 온도특성 ( The Thermal characteristics of InGaAsP / InP MQW-LD Fabricated by LPE )

박윤호 ,  조호성 ,  홍창희

대한전자공학회 학술대회

1993 .01