GGNMOS Well-triggering을 이용한 새로운 구조의 ESD 보호회로에 관한 연구

한상길; 안철

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: 한상길 (서강대학교) 안철 (서강대학교)

저널정보: 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2006년도 추계학술대회 논문집Ⅱ

발행연도: 2006.11

수록면: 462 - 465 (4page)

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In this study, a new SCR structure, which has a low trigger voltage, is proposed for the ESD protection device for the application to Deep Submicron process. We proposed a GGNMOS in the SCR structure, out of N-Well, in order to tum on SCR at low voltage by using base current of GGNMOS and examined its characteristics by TCAD simulation.
The trigger voltage of the proposed structure was 5.7V, about 10V smaller than that of the conventional SCR. The holding voltage(V<SUB>h</SUB>) and the holding current(I<SUB>h</SUB>) of the proposed structure were 0.9V and 0.06㎃/㎛ respectively, which are almost similar values of the conventional SCR, 0.9V and 0.1 ㎃/㎛, respectively.

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