Low Noise GaAs P-HEMTs Recessed by ECR Plasma Etching

Hyun Tae Choi ,  Jin Hee Lee ,  Hyung Sup Yoon 외 5명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

Improved Breakdown Voltage Characteristics of In_0.5Ga_0.5P/In_0.22Ga_0.78As/GaAs p-HEMT with an Oxidized GaAs Gate

I-H. Kang ,  J-W. Lee ,  S-J. Kang 외 5명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2003 .06

35㎚ In_0.52Al_0.48As/In_0.53Ga_0.47As Metamorphic GaAs HEMT의 제작

김영수 ,  이강승 ,  홍윤기 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2006 .11

AlGaAs / GaAs HEMT 소자의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characterization of GaAs / AlGaAs HEMT Device )

이진희 ,  윤형섭 ,  강석봉 외 7명

전자공학회논문지-A

1994 .09

통신용 초고속 반도체소자 - Digital GaAs 집적회로와 HEMT'S를 중심으로 - ( Ultra-High-Speed Semiconductor Devices for Data Communication Applications - Digital GaAs IC'S and HEMT｀S - )

이진구

한국통신학회논문지

1986 .06

Hemt 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

한국통신학회 학술대회논문집

1989 .01

HEMT 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

특정연구 결과 발표회 논문집

1989 .01

Analysis and Modeling for 1-5 Characteristics of HEMT`s

Kwang Mean Pa ,  k

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1991 .01

HeMT소자 공정 연구 - Part 2. HEMT 구조에서의 Ohmic 접촉저항 ( A Study on HEMT Device Process - Part 2. Ohmic Contact Resistance in GaAs/AlGaAs Hetero-Structure )

이종람 ,  이재진 ,  박성호 외 2명

전자공학회논문지

1989 .10

HEMT의 2차원 수치 해석 ( Two Dimensional Numerical Analysis of HEMT ` s )

김형래 ,  박장우 ,  김한구 외 2명

전자공학회논문지

1989 .11

Studies on the Fabrication and Characteristic Analysis of 0.35um T-Gate Power PM-HEMTs

정철환 ,  김성수 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

GaAs / AlGaAs HEMT 구조의 2DEG 측정 ( The Measurements of 2DEG in GaAs / AlGaAs HEMT structure )

이재진 ,  맹성재 ,  박효훈 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1989 .11

HEMT 소자 제작을 위한 GaAs/AlGaAs층의 선택적 건식식각 ( Selective Dry Etching of GaAs/AlGaAs Layer for HEMT Device Fabrication )

김흥락 ,  서영석 ,  양승주 외 4명

전자공학회논문지-A

1991 .11

MOCVD법을 이용한 AlGaAs / GaAs HEMT의 제작 ( Fabrication of AlGaAs / GaAs HEMT From MOCVD Water )

엄경숙 ,  김용 ,  김무성 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

15GHz Dielectric Resonator Oscillator using 0.13um T-Gate GaAs Pseudomorphic HEMT

Chung Soo Han ,  Keun Kwan Ryu ,  Chan Joo Lee 외 7명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

A SIMPLE MODEL for I-V CHARACTERISTICS of HEMTs

Kwang Mean Pa ,  k ,  Kae Dal Kwack

JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

1988 .01

Molecular Beam Epitaxy Growth and Effect of the Gate-Recess on the Microwave Properties of 0.1um Mushroom Gate InGaAs / InAlAs HEMTs

J. E. Oh ,  K. S. Seo ,  Y. W. Kwon 외 1명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

MOCVD에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장 ( Growth of GaAs/AlGaAs Superlattice and HEMT Structures by MOCVD )

김무성 ,  김용 ,  엄경숙 외 2명

전자공학회논문지

1990 .02

역 이중채널 구조를 이용한 전력용 AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT의 특성

안광호 ,  정영한 ,  배병숙 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .11

DC and RF Characteristics of 0.15 um Power Metamorphic HEMTs

Jae Yeob Shim ,  Hyung-Sup Yoon ,  Dong Min Kang 외 2명

[ETRI] ETRI Journal

2005 .12