모스 트랜지스터에서 드레인-게이트 중첩영역의 게이트-유기-드레인-누설(GIDL) 전류 열화

배지철 ,  정연식 ,  최혁환 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

p-MOSFET에서 동작상태 스트레스에 따른 게이트에 유기된 드레인 누설 ( GIDL ) 전류의 효과 ( The Effect of Gate-Induced Drain Leakage ( GIDL ) Current with On-state stress in p-MOSFETs )

정연식 ,  임재우 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

p-MOSFET에서 동작상태 스트레스에 따른 게이트에 유기된 드레인 누설(GIDL) 전류의 효과

정연식 ,  임재우 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

산화막 변화에 의한 p-MOSFET에서 게이트에 유기된 드레인 누설 ( GIDL ) 전류 ( GIDL Current Effects in p-MOSFET's by gate oxide variation )

정연식 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Planar MOSFET에서 측정을 통한 순수한 Gate Induced Drain Leakage (GIDL) 추출 방법

전상빈 ,  유성원 ,  이현슬 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

피-모스에서 교류 스트레스 동안 게이트에 유기된 드레인 누설전류 ( Gate-Induced Drain Leakage Current During AC Stress with P-MOS Transistor )

정연식 ,  배지철 ,  이용재

한국통신학회 학술대회논문집

1995 .11

고속용 p-MOSFET에서 NBTI 스트레스에 의한 GIDL 전류의 특성 분석

송재열 ,  이종형 ,  한대현 외 1명

한국정보통신학회논문지

2009 .02

저전력 응용을 위한 28 ㎚ 금속 게이트/high-k MOSFET 디자인

林土羽 ,  張晙瑢 ,  金榮珉

전기학회논문지

2008 .02

MOSFET I-V 그래프에서 단일트랩이 GIDL current에 미치는 영향분석

이현슬 ,  유성원 ,  신형철

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

Quantum Simulation을 이용한 Silicon Channel 두께와 Doping이 Double Gate MOSFET 소자의 GIDL 특성에 미치는 영향 분석

이상현 ,  백록현 ,  박찬훈 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

게이트와 n￣ 소스/드레인 중첩구조를 갖는 n 채널 MOSFET의 핫캐리어 주입에 의한 열화특성 ( Degradation Characteristics by Hot Carrier Injection of n ￣ channel MOSFET with Gate - n￣ S/D Overlapped Structure )

이대우 ,  이우일

전자공학회논문지-A

1993 .02

Comparison of GIDL mechanism between MOSFET and FinFET

Duckseoung Kang ,  Dokyun Son ,  Hyunsuk Kim 외 2명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2015 .06

MOSFET에서 게이트전압에 의존하는 소오스 / 드레인 저항을 추출하는 간단한 방법 ( Simple Extraction Method for Gate-Voltage Dependent Source / Drain Resistance in MOSFETs )

이명복 ,  이정일 ,  강광남 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

고속용 p-MOS 트랜지스터에서 NBTI 스트레스에 의한 특성 인자의 열화 분석

이용재 ,  이종형 ,  한대현

한국통신학회논문지

2010 .01

드레인 전압변화 스트레스에 의한 P-MOSFET의 열화 특성 ( Degradation Characteristics of p-MOSFET's by Various Drain Voltage stress )

정연식 ,  권상수 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

GIDL 전류 RTN을 발생시키는 트랩 특성에 대한 통계적 분석

유성원 ,  서영수 ,  이현슬 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

Gate-Induced Drain Leakage를 줄인 새로운 구조의 고성능 Elevated Source Drain MOSFET에 관한 분석 ( Analysis of a Novel Elevated Source Drain MOSFET with Reduced Gate-Induced Drain Leakage and High Driving Capability )

김경환 ,  최장순 ,  김정태 외 1명

전자공학회논문지-SD

2001 .06

p-MOSFET에서 NBTI 스트레스의 GIDL 전류에 대한 영향 분석

송재열 ,  이종형 ,  한대현 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

2008 .11

GIDL Current Modulation in a Gated Diode Synaptic Device with High-K Gate Stack

Min Kyu Pa ,  k ,  Jong-Ho Bae 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2019 .06

시뮬레이션을 통한 게이트-소스/드레인 간 Overlap 길이에 따른 GAA FET의 Extension 저항 추출 및 분석

김시현 ,  김수현 ,  고형우 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2018 .06