고속용 p-MOSFET에서 NBTI 스트레스에 의한 GIDL 전류의 특성 분석

송재열 ,  이종형 ,  한대현 외 1명

한국정보통신학회논문지

2009 .02

고속용 p-MOS 트랜지스터에서 NBTI 스트레스에 의한 특성 인자의 열화 분석

이용재 ,  이종형 ,  한대현

한국통신학회논문지

2010 .01

p-MOSFET에서 동작상태 스트레스에 따른 게이트에 유기된 드레인 누설(GIDL) 전류의 효과

정연식 ,  임재우 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

p-MOSFET에서 동작상태 스트레스에 따른 게이트에 유기된 드레인 누설 ( GIDL ) 전류의 효과 ( The Effect of Gate-Induced Drain Leakage ( GIDL ) Current with On-state stress in p-MOSFETs )

정연식 ,  임재우 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

산화막 변화에 의한 p-MOSFET에서 게이트에 유기된 드레인 누설 ( GIDL ) 전류 ( GIDL Current Effects in p-MOSFET's by gate oxide variation )

정연식 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Reliability Characteristics by the NBTI stress in Ultra-thin Gate p-MOSFET

Yong-Jae Lee ,  Il-Soon Bae ,  Jong-Hyung Lee 외 1명

INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING

2009 .06

Instability in GIDL Current of Thermally-Nitrided-Oxide N-MOSFET's

Z. J. Ma ,  P. T. Lai ,  Y. C. Cheng 외 1명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

Planar MOSFET에서 측정을 통한 순수한 Gate Induced Drain Leakage (GIDL) 추출 방법

전상빈 ,  유성원 ,  이현슬 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

Quantum Simulation을 이용한 Silicon Channel 두께와 Doping이 Double Gate MOSFET 소자의 GIDL 특성에 미치는 영향 분석

이상현 ,  백록현 ,  박찬훈 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

MOSFET I-V 그래프에서 단일트랩이 GIDL current에 미치는 영향분석

이현슬 ,  유성원 ,  신형철

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

초기 미세조직에 따른 NbTi 초전도 선재의 임계전류밀도 분석

김희락 ,  오영석 ,  김세종 외 4명

한국소성가공학회 학술대회 논문집

2019 .10

Quantum Simulation을 이용한 Silicon Channel 두께와 Doping이 Double Gate MOSFET 소자의 GIDL 특성에 미치는 영향 분석

이상현 ,  백록현 ,  박찬훈 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

NbTi 초전도 접합 조건 변화에 따른 임계전류 특성 향상 연구

하동우 ,  심기덕 ,  장현만 외 4명

대한전기학회 학술대회 논문집

2000 .07

고자장 MRI 마그네트를 위한 NbTi 초전도 접합 공정 연구

하동우 ,  오상수 ,  하홍수 외 4명

한국초전도저온공학회 학술대회

2002 .01

Comparison of GIDL mechanism between MOSFET and FinFET

Duckseoung Kang ,  Dokyun Son ,  Hyunsuk Kim 외 2명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2015 .06

NBTI 조건에서 양자 효과가 고려된 Si-SiO₂ 계면 트랩 형성모델을 사용한 pMOSFET 소자 열화 시뮬레이션

최성욱 ,  백창기 ,  박수영 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

저전력 응용을 위한 28 ㎚ 금속 게이트/high-k MOSFET 디자인

林土羽 ,  張晙瑢 ,  金榮珉

전기학회논문지

2008 .02

RF Sputtering법에 의한 NbTi박막 제조연구

김봉서 ,  우병철 ,  하동우 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1994 .11

열간압연 온도와 NbTi 초전도 선재의 임계전류밀도 상관 관계 분석 연구

김희락 ,  오영석 ,  김세종 외 3명

한국소성가공학회 학술대회 논문집

2019 .05

모스 트랜지스터에서 드레인-게이트 중첩영역의 게이트-유기-드레인-누설(GIDL) 전류 열화

배지철 ,  정연식 ,  최혁환 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12