Analysis of Subthreshold Swings Based on Scaling Theory for Double Gate MOSFET

Hakkee Jung ,  Jongin Lee ,  Dongsoo Cheong

INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING

2012 .06

MOSFET의 Subthreshold 전류에 관한 연구 ( A Study on the Subthreshold Currents of Short-Channel MOSFET )

정홍식 ,  김진헌

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

N-Channel MOSFET에 대한 Subthreshold 영역에서의 전류특성 연구 ( A Study on the Currents of N-Channel MOSFET in Subthreshold Region )

이규홍 ,  김보우 ,  박신종

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

초박막 Soi Mosfet의 문턱전압과 Subthreshold Slope의 해석적 모델 ( Analytical Models of Threshold Voltage and Subthreshold Slope for Very-Thin-Film Soi Mosfet`s )

정은석 ,  김현철 ,  김철성

대한전자공학회 학술대회

1992 .07

더블게이트 MOSFET의 서부문턱스윙에 대한 연구

정학기 ,  Sima Dimit ,  ijev

한국정보통신학회논문지

2005 .07

Subthreshold 영역에서의 Short Channel MOSFET의 전위 ( The Potential of Short Channel MOSFET in the Subthreshold Region )

안재경 ,  박영준 ,  민홍식

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

이중게이트 MOSFET에서 채널도핑농도에 따른 문턱전압이하 특성 분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2008 .10

비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널도핑에 따른 문턱전압이하 스윙 분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2014 .03

A Subthreshold Swing Model for Symmetric Double-Gate (DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping

P ,  amod Kuma ,  Tiwa 외 2명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2010 .06

SOI-MOSFET의 subthreshold 영역에서의 I-V 특성 ( I-V characteristics in subthreshold region of SOI-MOSFET )

고덕수 ,  김현철 ,  김철성

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Anomalous Phenomena on Subthreshold Characteristics of SOI MOSFET Back Gate Voltage

Seung-Min Lee ,  Myung-Ok Lee

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

SOI MOSFET Back게이트전압에 따른 Subthreshold 특성의 특수현상 ( Anomalous Phenomena on Subthreshold Characteristics of SOI MOSFET Back Gate Voltage )

이승민 ,  이명옥

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

DC 스트레스에 의해 노쇠화된 LDD MOSFET에서 문턱전압과 Subthreshold 전류곡선의 변화 ( The Shift of Threshold Voltage and Subthreshold Current Curve in LDD MOSFET Degraded Under Different DC Stress-Biases )

이명복 ,  이정일 ,  강광남

전자공학회논문지

1989 .05

채널 폭에 따른 MOSFET 문턱전압 및 전류 변동성에 관한 시뮬레이션 분석

정인영 ,  박찬형

전자공학회논문지

2018 .06

An Analytical Modeling of Threshold Voltage and Subthreshold Swing on Dual Material Surrounding Gate Nanoscale MOSFETs for High Speed Wireless Communication

N. B. Balamu ,  ugan ,  K. Sanka 외 4명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2008 .09

Gate Oxide Thickness- and Channel Length-Dependent Subthreshold Swing Characteristics for Double-gate MOSFETs

Hak-Kee Jung ,  Ji-Hyeong Han ,  Choon-Shik Pa 외 1명

INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING

2011 .06

비대칭 DGMOSFET의 상ㆍ하단 게이트전압에 대한 문턱전압이하 스윙

정학기

한국정보통신학회논문지

2014 .03