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광 CVD법에 의한 PN / InP MIS 구조 ( Al / PN / InP MIS STRUCTURE BY PHOTO-CVD )
대한전자공학회 학술대회
1989 .11
금속-InP 쇼트키장벽의 특성에 관한 연구
전기학회논문지
1986 .06
습도가 InP턴넬 MIS 소자의 전기적 특성에 미치는 영향 ( Humidity Effects on the Electrical Properties of InP Tunnel MIS Diodes )
전자공학회지
1984 .07
광CVD에 의한 InP기판 위에 질화인막의 성장
대한전기학회 학술대회 논문집
1989 .11
Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 $\textrm{Si}_3\textrm{N}_4$/InP의 접합특성
한국재료학회지
1998 .01
황처리가 금속 / InP Schottky 접촉과 Si3N4 / InP 계면들에 미치는 영향 ( Effects of Sulfur Treatments on metal / Inp Schottky Contact and Si3N4 / InP interfaces )
전자공학회논문지-A
1994 .12
In-situ 기상성장법을 이용한 InP계 MIS소자의 계면안정화 ( Interface Stabilization of InP Based MIS Devices Using Vapor Phase Growth )
대한전자공학회 학술대회
1987 .05
P+ -In0.53Ga0.47As/InP의 저항성 접촉 특성
대한전자공학회 학술대회
1995 .06
유화처리와 광CVD법으로 성장시킨 질화인막을 이용한 증가형 InP MISEFTs의 특성 ( Characteristics of Enhancement Mode InP MISFETs with Sulfide Passivation and P3N5 Gate insulator by Photo-CVD Technology )
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
InP / InP , InCaAs / InP의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )
한국통신학회 학술대회논문집
1988 .01
InP / InP , InCaAs / InP 의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )
특정연구 결과 발표회 논문집
1988 .01
InP 건 다이오드의 역전류 특성
대한전자공학회 학술대회
2013 .11
차세대 고전력 다이아몬드 쇼트키 장벽 다이오드
대한전기학회 학술대회 논문집
2016 .07
Modification of Schottky Barrier Properties of Ti/p-type InP Schottky Diode by Polyaniline (PANI) Organic Interlayer
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2016 .10
저온 CVD PN-InP MISFETs ( Low-temperature CVD PN-InP MISFETs )
대한전자공학회 학술대회
1987 .07
유화처리와 광 CVD법으로 성장시킨 질화인막을 이용한 증가형 InP MISFETs 의 특성
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
열로 산화된 InP의 특성에 관한 연구
전기학회논문지
1988 .06
쇼트키 다이오드의 전류-전압 특성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
쇼트키 다이오드의 전류-전압 특성에 관한 연구 ( A Study of 1-5 Characteristics in Schottky Diode )
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
n-InP / p-GaInAsP / n-InP 이중 이종접합 구조 트랜지스터 제작 및 특성 ( Fabrication of n-InP / p-GalnAsP / n-InP Double Heterojunction Bipolar Transistor and Its Static Characteristics )
한국통신학회 학술대회논문집
1988 .01
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