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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.15 No.2
- 발행연도
- 2015.4
- 수록면
- 232 - 242 (11page)
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Analytical study of surface recombination at the Si/SiO<SUB>2</SUB> interface is carried out in order to set the optimum surface conditions that result in minimum dark base current and maximum open circuit voltage in silicon solar cells. Recombination centers are assumed to form a continuum rather than to be at a single energy level in the energy gap. It is shown that the presence of a hump in the dark I-V characteristics of high efficiency PERL cells is due to the dark current transition from a high surface recombination regime at low voltage to a low surface recombination regime at high voltage. Successful fitting of reported dark I-V characteristics of a typical PERL cell is obtained with several possible combinations of surface parameters including equal electron and hole capture cross sections.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEPENDENCE OF THE EFFECTIVE SURFACE RECOMBINATION VELOCITY ON THE SURFACE PARAMETERS
Ⅲ. DARK I-V CHARACTERISTICS
Ⅳ. IMPACT OF THE HUMP ON SOLAR CELL PERFORMANCE UNDER ILLUMINATION
Ⅴ. SUMMARY AND CONCLUSIONS
REFERENCES
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