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저자정보
김홍희 김상훈 (광운대학교) 최진주 (광운대학교) 최길웅 (삼성탈레스) 김형주 (삼성탈레스)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第26卷 第2號
발행연도
2015.2
수록면
165 - 170 (6page)

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본 논문에서는 GaAs 기반 저잡음 증폭기가 사용되고 있는 레이더 수신기의 잡음지수를 낮추고, 저잡음 증폭기의 강인성(robustness)을 위하여 GaN HEMT 기반의 저잡음 증폭기를 설계하고 측정하였다. GaAs 기반의 저잡음 증폭기를 사용하는 레이더 수신기의 경우, 맨 앞단에 저잡음 증폭기를 보호하기 위한 리미터(limiter)가 필요하고, 이는 레이더 수신기 전체 잡음지수를 나빠지게 한다. 본 연구에서 측정한 GaN 기반 저잡음 증폭기의 잡음지수는 2 ㏈ 이하로 측정되었다. 상용화된 GaAs 기반 저잡음 증폭기의 경우, 최대 입력 전력은 약 30 ㏈m인 반면 본 연구에서는 입력 전력이 43 ㏈m일때 소자가 번아웃(burn-out)되었고, 전류 제한 모드로 동작시킬 경우 45.4 ㏈m에서도 강인성이 보장되었다.
#LNA #GaN HEMT #Robustness #Current Limit

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계 및 제작
Ⅲ. 전류 제한 모드 저잡음 증폭기
Ⅳ. 결론
References

참고문헌 (5)

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1. [학술지(정기간행물)] - Seong-Sik Yang / 2009 / A novel analysis of a Ku-band planar P-I-N diode limiter / IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 57 (6) : 1447 ~ 1460 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - U. Mishra / 2008 / GaNbased RF power devices and amplifiers / Proceedings of the IEEE 96 (2) : 287 ~ 305 google schola 3. [학술대회논문] - Ulf Schmid / 2014 / Robust wideband LNA design / Proceedings of the 9th European Microwave Integrated Circuits Conference : 186 ~ 189 google schola 4. [인터넷자원] - / / STmicroelectronics Datasheet, LM317 adjustable voltage regulators google schola 5. [인터넷자원] - / / RFHIC Datasheet, This LNA family is a high gain, ultra low noise amplifier CL3102D-L google schola

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