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저자정보
강병준 (청주대학교) 손상희 (청주대학교) 정원섭 (청주대학교)
저널정보
한국정보기술학회 한국정보기술학회논문지 한국정보기술학회논문지 제12권 제12호(JKIIT, Vol.12, No.12)
발행연도
2014.12
수록면
1 - 8 (8page)
DOI
10.14801/jkiit.2014.12.12.1

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본 논문에서는 BJT를 이용하지 않고 MOSFET의 특성을 이용하여 온도의 변화가 선형 출력전압으로 비례하여 변환하는 온도감지 회로를 설계하였다. 기존의 온도감지 회로가 BJT를 이용한 반면 이번에 제안한 회로는 MOSFET을 이용하여 CMOS공정에서 비교적 간단하게 구현하게 하였으며 다양한 어플리케이션에 적용 가능하도록 설계하였다. 제안한 회로는 TSMC 0.18um 1-Poly & 6-Metal CMOS 공정을 이용하여 설계하였고, Hspice 시뮬레이션을 통하여 검증하였다. 시뮬레이션은 온도감지 모드와 절전모드의 두 가지 동작상태에서 시행하였고, 1.8V 공정에서 설계하였기 때문에 감지회로 출력이 800mV 미만에서는 온도감지로 동작하고, 800mV 이상에서 절전모드로 동작하게끔 설계하였다. 그 결과 온도감지 모드에서 0℃~ 150℃까지 스윕했을 때 출력전압이 0V~1.45V까지 측정되는 것을 확인하였고 절전모드에서는 출력전류가 6nA 이하로 아주 작은 전류가 흐른다는 것을 확인 할 수 있었다.
#temperature sensing circuit #bandgap reference #amplifier #DDI #PTAT #CTAT

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. MOSFET을 사용한 온도감지 회로 제안
Ⅲ. 온도감지 모드와 절전모드의 시뮬레이션 결과
Ⅴ. 결론
References

참고문헌 (8)

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1. [학술지(정기간행물)] - Gang Chen / 2012 / A novel low power wide supply voltage range CMOS temperature sensor with-0. 2/0. 5°C error from-20°C to 60°C / ICSICT, IEEE : 1 ~ 3 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - V. Gromov / 2007 / Circuit in a standard 0. 13um cmos technology / Nuclear Science, IEEE Transactions 54 (6) : 2727 ~ 2733 Crossref 3. [보고서] - Y. W. Li / 2009 / A 1.05V 1.6mW 0.45℃ 3σ-Resolution ΔΣ–ased Temperature Sensor with Parasitic-Resistance Compensation in 32nm CMOS : 340 ~ 341 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - 오선영 / 2011 / LCD 드라이버 IC에 적용 가능한 온도센서 설계에 관한 연구 / 한국정보기술학회논문지 9 (1) : 1 ~ 9 dbpia 5. [단행본] - R. JACOB BAKER / 2010 / THIRD EDITION CMOS / WILEY : 657 ~ 820 google schola

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