A Fully-MOSFET Bandgap Reference Circuit Using MOS PTAT Characteristic

전상욱; 위재경

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: 전상욱 (숭실대학교) 위재경 (숭실대학교)

저널정보: 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2007년도 SOC 학술대회

발행연도: 2007.5

수록면: 162 - 165 (4page)

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이 논문에서는 오직 MOSFET transistors과 저항들로 구성된 bandgap reference circuit이 제안되었다. 제안된 회로는 BJT 혹은 depletion MOS 모두를 이용하지 않는 standard 0.18um CMOS process에서 설계되었다. 그리고, 이 회로는 MOSFET transistors로부터 발생하는 MOS subthreshold region과 proportional to absolute temperature(PTAT) current를 사용한다. 또한, 파워공급전압이 1.8V 일 때, HSPICE 를 이용한 시뮬레이션 결과로부터 bandgap reference circuit은 -20℃에서 120℃까지의 온도 범위에서 676mV ± 6.5mV의 output reference voltage Vref를 얻어낸다. 더욱이, 시뮬레이션 결과들을 통하여 제안한 bandgap reference circuit이 69ppm/℃의 temperature coefficient(TC)를 획득하였고 221uW의 total power dissipation을 소모한다는 것을 알았다.

#bandgap reference #proportional to absolute temperature #temperature coefficient #CMOS

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