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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.5
- 수록면
- 1,143 - 1,148 (6page)
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본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑분포함수의 변화에 따른 문턱전압이하 스윙의 변화를 분석하였다. 이중게이트 MOSFET의 특성을 결정하는 가장 기본적인 요소는 채널의 크기 즉, 채널길이, 채널두께 등과 채널의 도핑분포함수이다. 도핑분포는 채널도핑 시 사용하는 이온주입법에 의하여 결정되며 일반적으로 가우스 분포함수에 준한다고 알려져 있다. 포아송방정식을 이용하여 전하분포를 구하기 위하여 가우스분포함수을 이용하였다. 가우스분포함수는 반드시 상하 대칭이 아니므로 채널길이 및 채널두께, 그리고 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 게이트 전압 변화 등에 따라 문턱전압이하 스윙 값은 크게 변화할 것이다. 이에 본 연구에서는 가우스분포 함수의 파라미터인 이온주입범위 및 분포편차에 따른 문턱전압이하 스윙의 변화를 관찰하고자 한다. 분석결과, 문턱전압이하 스윙은 도핑분포함수 및 게이트 전압 등에 따라 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 비대칭 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙 모델 및 도핑분포함수
Ⅲ. 도핑분포함수에 따른 문턱전압이하 스윙 결과 고찰
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (9)
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1. [인터넷자원] - / / http://www.kipo.go.kr/kpo/user.tdf?a=user.etc.cyber Post.BoardUserApp&c=2004&catmenu=m04_05_02&sn=243&year=2010
2. [학술지(정기간행물)] - G.Dessai / 2011 / Inclusion of the Accumulation Region in the Compact Models of Bulk and SOI FinFETs / IEEE Trans. Electron Devices 58 (8) : 2644 ~ 2651
3. [학술지(정기간행물)] - S. Jandhyala / 2012 / Inclusion of body doping in compact models for fully-depleted common double gate MOSFET adapted to gate-oxide thickness asymmetriy / Electronics Lett 48 (13) : 794 ~ 795
4. [학술지(정기간행물)] - Chung Ha Suh / 2011 / Two-Dimensional Analytical Model for Deriving the Threshold Voltage of a Short Channel Fully Depleted Cylindrical/Surrounding Gate MOSFET / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 11 (2) : 110 ~ 119
5. [학술지(정기간행물)] - S. Jandhyala / 2012 / A simple charge model for symmetric double-gate MOSFETs adapted to gate-oxide-thickness asymmetry / IEEE Trans. Electron Devices 59 (4) : 1002 ~ 1007
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5. [학술지(정기간행물)] - S. Jandhyala / 2012 / A simple charge model for symmetric double-gate MOSFETs adapted to gate-oxide-thickness asymmetry / IEEE Trans. Electron Devices 59 (4) : 1002 ~ 1007
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