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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.5
- 수록면
- 504 - 514 (11page)
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본 논문에서는 X-대역 능동 위상 배열 레이더 시스템에 사용되는 MMIC 다기능 칩을 0.5 μm p-HEMT 상용 공정을 이용하여 저전력 특성을 가지도록 개발하였다. 다기능 칩은 6-비트 디지털 위상 천이 기능, 6-비트 디지털 감쇠 기능, 송/수신 모드 선택 기능, 신호 증폭 기능 등의 다양한 기능을 제공한다. 16 mm2(4 mm×4 mm) 칩 크기의 소형으로 제작된 MMIC 다기능 칩은 7～11 GHz에서 10 dB의 송/수신 이득 특성과 14 dBm의 P1dB 특성을 가지며, DC 소모 전력이 0.6 W로 매우 낮은 저전력 특성을 보였다. 그리고 6-비트, 64 상태에 대해 위상 천이 특성과 감쇠 특성의 측정 결과, 동작 주파수에서 3°의 RMS(Root Mean Square) 위상 오차와 0.6 dB의 RMS 감쇠 오차를 보였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. MMIC 저전력 다기능 칩 설계
Ⅲ. MMIC 다기능 칩 제작 및 시험
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (14)
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1. [인터넷자원] - / / OMMIC homepage
2. [인터넷자원] - / / MACOM datasheet
3. [인터넷자원] - / / UMS homepage
4. [학술지(정기간행물)] - 정진철 / 2011 / X-대역 능동 위상 배열 레이더 시스템용 디지털 직병렬 변환기를 포함한 GaAs MMIC 다기능 칩 / 한국전자파학회 논문지 22 (6) : 613 ~ 624
5. [보고서] - WIN-Semiconductor / 2007 / PD50-01, 0.5 μm InGaAs pHEMT Enhancement/Depletion-Mode Device(E/D-Mode) device model handbook
2. [인터넷자원] - / / MACOM datasheet
3. [인터넷자원] - / / UMS homepage
4. [학술지(정기간행물)] - 정진철 / 2011 / X-대역 능동 위상 배열 레이더 시스템용 디지털 직병렬 변환기를 포함한 GaAs MMIC 다기능 칩 / 한국전자파학회 논문지 22 (6) : 613 ~ 624
5. [보고서] - WIN-Semiconductor / 2007 / PD50-01, 0.5 μm InGaAs pHEMT Enhancement/Depletion-Mode Device(E/D-Mode) device model handbook
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