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김상완 (서울대학교) 최우영 (서강대학교) 선민철 (서울대학교) 김현우 (서울대학교) 이종호 (서울대학교) 신형철 (서울대학교) 박병국 (서울대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2012년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2012.6
수록면
138 - 141 (4page)

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The on/off characteristic of tunneling field-effect transistors (TFETs) is deeply related to its tunneling barrier width (W<SUB>t</SUB>). In this paper, the effects of W<SUB>t</SUB> on TFETs performances have been studied by commercial device simulator. The simulation results show that smaller Wt promises more abrupt on/off transition.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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