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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
장정식 (SK) 이현국 (서강대학교) 최우영 (서강대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제49권 12호
발행연도
2012.12
수록면
179 - 183 (5page)

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3차원 시뮬레이션을 이용하여 터널링 전계효과 트랜지스터(TFET)의 불순물 분포 변동(RDF) 효과에 대해 살펴보았다. TFET의 RDF 효과는 매우 낮은 바디 도핑 농도 때문에 많이 논의되지 않았다. 하지만 본 논문에서는 임의로 생성되고 분포되는 소스 불순물이 TFET의 문턱전압 (Vth)과 드레인 유기 전류 증가 (DICE), 문턱전압이하 기울기 (SS)의 변화를 증가시킴을 발견하였다. 또한, TFET의 RDF 효과를 감소시킬 수 있는 몇 가지 방법을 제시하였다.
#Random dopant fluctuation (RDF) #drain induced current enhancement (DICE) #subthreshold slope (SS) #threshold voltage (Vth) #tunneling field-effect transistors (TFETs)

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (14)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - W. Y. Choi / 2007 / Tunneling field-effect transistors (TFETs) with subthreshold swing (SS) less than 60 mV/dec / IEEE Electron Device Lett 28 (8) : 743 ~ 745 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - V. Nagavarapu / 2008 / The tunnel source (PNPN) n-MOSFET: a novelhigh performance transistor / IEEE Trans.Electron Devices 55 (4) : 1013 ~ 1019 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - W. Y. Choi / 2010 / Hetero-gate-dielectric tunneling field-effect transistors / IEEE Trans. Electron Devices 57 (9) : 2317 ~ 2319 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - Q. Zhang / 2006 / Low-subthreshold-swing tunnel transistors / IEEE Electron Device Lett 27 (4) : 297 ~ 300 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - K. K. Bhuwalka / 2005 / Scaling the vertical tunnel FET with tunnelbandgap modulation and gate workfunctionengineering / IEEE Trans. Electron Devices 52 (5) : 909 ~ 917 google schola

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