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학술저널
저자정보
In Jun Park (University of Seoul) Changhwan Shin (University of Seoul)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.13 No.5
발행연도
2013.10
수록면
511 - 515 (5page)

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A Monte Carlo (MC) simulation study has been done in order to investigate the effects of lineedge-roughness (LER) induced by either 1P1E (single-patterning and single-etching) or 2P2E (double-patterning and double-etching) on fullydepleted silicon-on-insulator (FDSOI) tri-gate metaloxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). Three parameters for characterizing the LER profile [i.e., root-mean square deviation (σ), correlation length (ζ), and fractal dimension (D)] are extracted from the image-processed scanning electron microscopy (SEM) image for each photolithography method. It is experimentally verified that two parameters (i.e., σ and D) are almost the same in each case, but the correlation length in the 2P2E case is longer than that in the 1P1E case. The 2P2E-LERinduced V<SUB>TH</SUB> variation in FDSOI tri-gate MOSFETs is smaller than the 1P1E-LER-induced V<SUB>TH</SUB> variation. The total random variation in V<SUB>TH</SUB>, however, is very dependent on the other major random variation sources, such as random dopant fluctuation (RDF) and work-function variation (WFV).
#Variability #line-edge-roughness #fullydepleted silicon-on-insulator #CMOS

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. LER MODELING
III. MONTE CARLO (MC) SIMULATION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

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