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저자정보
허전 (LIG넥스원) 진형석 (LIG넥스원) 장호기 (유텔) 김보균 (유텔) 조숙희 (STX엔진)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第23卷 第11號
발행연도
2012.11
수록면
1,239 - 1,247 (9page)

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본 논문에서는 GaN HEMT 소자를 이용한 X-대역 반도체 전력 증폭 장치(SSPA)의 설계 및 제작에 대하여 논의한다. 반도체 전력 증폭 장치는 안정적인 전원을 공급해 주는 전원공급기, 통신과 내부 모듈을 제어하기 위한 제어부, RF 신호를 증폭하기 위한 RF부로 구성된다. 특히, RF부를 구성하는 능동 소자로 TriQuint사의 GaN HEMT Bare 소자를 이용하였다. RF부는 초단, 드라이브 단, 메인 출력 단으로 구성되어 있으며, 각 앰프는 입?출력 정합을 통하여 구현하였다. 제작된 반도체 전력 증폭 장치는 X-대역(500 MHz 대역폭)에서 duty 26 %, 최장펄스 100 us 조건에서 300 W 이상의 출력을 얻을 수 있었으며, 향후 선박용 레이더 시스템에 적용할 예정이다.
#GaN #SSPA #MTBF #Duty Cycle #MTI

목차

요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 반도체 전력 증폭 장치 설계
Ⅲ. 반도체 전력 증폭 장치 RF부 설계 및 제작
Ⅳ. 반도체 전력 증폭 장치 제작/측정
Ⅴ. 결론
참고문헌

참고문헌 (10)

참고문헌 신청
S. T. Allen / 1997 / Silicon carbide MESFETs for high- power S-band application / IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest 1997 1:57~60 google schola M. van Heijningen / 2008 / S-band AlGaN/GaN power amplifier MMIC with 20 watt output power / Microwave Integrated Circuit Conf. 2008 :79~82 google schola P. Lanzkron / 2007 / Solid state X-band airport surface surveillance radar / IEEE Radar Conf. 2007 :670~676 google schola M. Casto / 2011 / 100 W X-band GaN SSPA for medium power TWTA replacement / IEEE Wireless & Microwave Technology Conf. 2011 :1~4 google schola U. K. Mishra / 2002 / Al-GaN/GaN HEMTs-an overview of device operation applications / Proc. of IEEE 90(6):1022~1031 google schola

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