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대한전자공학회 전자공학회논문지-TC 電子工學會論文誌 第46卷 TC編 第12號
발행연도
2009.12
수록면
22 - 29 (8page)

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본 논문에서는 X-대역 펄스압축 반도체형 레이다를 위한 200W SSPA를 개발하였다. 개발한 X-대역 SSPA는 전치증폭단, 구동증폭단, 고출력을 위한 주전력 증폭단의 3단 연계구조형 증폭기로 구성되어있다. X-대역에서 200W 이상의 출력을 내기 위해 주전력 증폭단은 충분한 이득과 전력을 얻을 수 있는 GaN HEMT소자를 사용하여 병렬구조로 설계하였다. 개발한 SSPA는 주파수범위 9.2-9.6㎓, 펄스주기 1㎳, 펄스폭 100㎲, 듀티사이클 10% 조건에서 전체이득 59㏈ 이상, 출력전력 200W이상의 성능을 가진다. 본 논문에서 개발한 SSPA는 펄스압축기술을 이용한 고품위 반도체 레이다시스템에 적용할 수 있다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. X-대역 200W SSPA 설계
Ⅲ. X-대역 200W SSPA 측정 및 분석
Ⅳ. 결론
참고문헌
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