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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.11
- 수록면
- 252 - 255 (4page)
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Spintronic devices have recently attracted significant attentions in solid state circuit society as a promising device in the applications of nonvolatile memory and emerging circuit design, i.e., memristor-based system. In this paper, we introduce Tunneling magnetoresistance (TMR) device - a popular spin-tronic device structure and its applications in 1) multi-level cell memory design; 2) memristive devices (memristor); and 3) a special circuit design example - nondestructive self-reference sensing technology.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. MULTI-LEVEL CELL
Ⅲ. SPINTRONIC MEMRISTOR
Ⅳ. SELF-REFERENCE SENSING
Ⅴ. CONCLUSION
REFERENCES
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