Gate-Induced Drain Leakage를 줄인 새로운 구조의 고성능 Elevated Source Drain MOSFET에 관한 분석 ( Analysis of a Novel Elevated Source Drain MOSFET with Reduced Gate-Induced Drain Leakage and High Driving Capability )

김경환 ,  최장순 ,  김정태 외 1명

전자공학회논문지-SD

2001 .06

모스 트랜지스터에서 드레인-게이트 중첩영역의 게이트-유기-드레인-누설(GIDL) 전류 열화

배지철 ,  정연식 ,  최혁환 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

모스 트랜지스터에서 드레인-게이트 중첩영역의 게이트-유기-드레인-누설 ( GIDL ) 전류 열화 ( Gate-Induced-Drain-Leakage ( GIDL ) Current Degradations of Drain-gate Overlap Region in MOSFET's )

배지철 ,  정연식 ,  이용재 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

Planar MOSFET에서 측정을 통한 순수한 Gate Induced Drain Leakage (GIDL) 추출 방법

전상빈 ,  유성원 ,  이현슬 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

Optimizing Effective Channel Length to Minimize Short Channel Effects in Sub-50 ㎚ Single/Double Gate SOI MOSFETs

Sudhansh Sha ,  ma ,  Pawan Kuma

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2008 .06

p-MOSFET에서 동작상태 스트레스에 따른 게이트에 유기된 드레인 누설 ( GIDL ) 전류의 효과 ( The Effect of Gate-Induced Drain Leakage ( GIDL ) Current with On-state stress in p-MOSFETs )

정연식 ,  임재우 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

p-MOSFET에서 동작상태 스트레스에 따른 게이트에 유기된 드레인 누설(GIDL) 전류의 효과

정연식 ,  임재우 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

저전력 응용을 위한 28 ㎚ 금속 게이트/high-k MOSFET 디자인

林土羽 ,  張晙瑢 ,  金榮珉

전기학회논문지

2008 .02

MOSFET I-V 그래프에서 단일트랩이 GIDL current에 미치는 영향분석

이현슬 ,  유성원 ,  신형철

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

A Simple Model for Gate Voltage Dependence of the Drain Saturation Voltage in Short Channel MOSFET's with Lightly Doped Drains

J. I. Lee ,  M. B. Lee ,  K. N. Kang 외 1명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

다중 Gate 및 Channel 구조를 갖는 CMOS 영상 센서용 Floating-Gate MOSFET 소자의 제작 및 특성 평가

朱炳權 ,  申璟湜 ,  李泳錫 외 3명

전기학회논문지 C

2001 .01

2D Transconductance to Drain Current Ratio Modeling of Dual Material Surrounding Gate Nanoscale SOI MOSFETs

N.B.Balamu ,  ugan ,  K.Sanka 외 3명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2009 .06

PRECISE SIMULATION OF THE GATE CHARGE IN POWER MOSFET

Baoxia zhou ,  Zhiming Chen ,  Shoujue Wang

ICPE(ISPE)논문집

1995 .10

MOSFET에서 게이트전압에 의존하는 소오스 / 드레인 저항을 추출하는 간단한 방법 ( Simple Extraction Method for Gate-Voltage Dependent Source / Drain Resistance in MOSFETs )

이명복 ,  이정일 ,  강광남 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

시뮬레이션을 통한 게이트-소스/드레인 간 Overlap 길이에 따른 GAA FET의 Extension 저항 추출 및 분석

김시현 ,  김수현 ,  고형우 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2018 .06

Multiple Gate MOSFET의 ESD 특성 비교 연구

김대성 ,  서성환 ,  이성준 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2007 .11

Method to Mitigate Threshold Voltage and ON-Cell Current Variation Caused by Cell Gate Length Fluctuation in NAND Flash Memory with Virtual Source and Drain

Wandong Kim ,  Yoon Kim ,  Se-Hwan Pa 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2012 .06

피-모스에서 교류 스트레스 동안 게이트에 유기된 드레인 누설전류 ( Gate-Induced Drain Leakage Current During AC Stress with P-MOS Transistor )

정연식 ,  배지철 ,  이용재

한국통신학회 학술대회논문집

1995 .11

Gate Length Dependence of LDD-to-Gate Overlap in n-MOSFET

허기재 ,  손정환 ,  송현욱 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Gate-Length Biasing for Low Leakage Design

Kyung-Tae Do ,  Bong-Hyun Lee ,  Jung-Yun Choi 외 2명

대한전자공학회 ISOCC

2007 .10