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저자정보
백용현 (동국대학교) 오정훈 (동국대학교) 한민 (동국대학교) 최석규 (동국대학교) 이복형 (동국대학교) 이성대 (동국대학교) 이진구 (동국대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2006년 하계종합학술대회
발행연도
2006.6
수록면
215 - 216 (2page)

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2007

Metamorphic HEMT에서 low-k Benzocyclobutene(BCB)를 이용한 표면 passivation 비교 연구
백용현 ,  오정훈 ,  한민 외 4명 전자공학회논문지-SD 2007.04 학술저널

2006

Metamorphic HEMT에서 low–k Benzocyclobutene (BCB)를 이용한 표면 passivation 비교 연구
백용현 ,  오정훈 ,  한민 외 4명 대한전자공학회 학술대회 2006.06 학술대회자료

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The passivation technology is very important, because this technology can protect a device against the influence of ambient environment, and prevent the performance reduction. In this paper, we fabricated the 0.1 ㎛ Γ-gate InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistors (MHEMTs) on GaAs substrates using ... 전체 초록 보기

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