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학술저널
저자정보
김재붕 (전북대학교) 조성익 (전북대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제61권 제5호
발행연도
2012.5
수록면
753 - 756 (4page)

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In this paper, a modified low-votlage CMOS bandgap voltage reference with CTAT compensation is presented. The proposed structure doesn"t use PTAT current. The proposed structure is more simple than the existing structure and doesn"t use the eighteen BJT. The modified low-votlage CMOS bandgap voltage reference with CTAT compensation has been successfully verified in a standard 0.18um CMOS process. The simulation results have confirmed that, with the minimum supply voltage of 1.25V, the output reference voltage at 549mV has a temperature coefficient of 12ppm/°C from 0°C to 100°C.
#Bandgap reference #Voltage reference #CTAT

목차

Abstract
1. 서론
2. 제안한 구조의 밴드갭 레퍼런스 회로
3. 회로 구현
4. 모의실험 결과 및 고찰
5. 결론
참고문헌

참고문헌 (6)

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K. N. Leung / 2002 / A sub-1-V15-ppm/°C CMOS bandgap voltage reference withoutrequiring low threshold voltage device / IEEE J.Solid-State Circuits 37(4):526~529 google schola P. Malcovati / 2001 / Curvature compensated BiCMOS bandgap with 1-Vsupply voltage / IEEE J. Solid-State Circuits 36(7):1076~1081 google schola H. Banba / 1999 / A CMOS bandgap voltage reference circuit with sub-1-V operation / IEEE J. Solid-State Circuits 34(5):670~674 google schola G. Giustolisi / 2003 / A low-voltage low-power voltage reference based on subthreshold MOSFETs / IEEE J. Solid-State Circuits 38(1):151~154 google schola G.A. Rincon-Mora / 1998 / A 1.1-V Current-Mode and Piecewise-Linear Curvature- Corrected Bandgap Reference / IEEE J. Solid- State Circuits 33:1551~1554 google schola

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