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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
金奇範 (서울대학교) 金兌炅 (삼성전자) 李炳一 (서울대학교) 朱承基 (서울대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第37卷 SD編 第12號
발행연도
2000.12
수록면
29 - 34 (6page)

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금속유도 측면 결정화에 의해 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TIT)의 전기적 스트레스의 효과에 대해 연구하였다. MILC로 제작된 TFT에 전기적 스트레스가 인가될 때, off-state 전류가 100배에서 10000배까지 감소한다. 그러나 전기적 스트레스를 인가한 소자를 관상로에서 열처리를 할 경우 열처리온도가 증가할 수록 off-state 전류가 다시 증가했다. 열처리온도에 따른 off-state 전류의 의존성으로부터 MILC 다결정 실리콘 박막내 트랩준위의 활성화에너지(0.34eV)를 얻어냈다.

목차

요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
저자소개

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