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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
최성진 (충남대학교) 송희은 (한국에너지기술연구원) 유권종 (한국에너지기술연구원) 유진수 (한국에너지기술연구원) 한규민 (충남대학교) 권준영 (충북대학교) 이희덕 (충남대학교)
저널정보
한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 논문집 한국태양에너지학회 논문집 제31권 제1호
발행연도
2011.2
수록면
37 - 43 (7page)

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In this paper, the optimized doping condition of crystalline silicon solar cells with 156 × 156㎟ area was studied. To optimize the drive-in temperature in the doping process, the other conditions except variable drive-in temperature were fixed. These conditions were obtained in previous studies. After etching 7㎛ of the surface to form the pyramidal structure, the silicon nitride deposited by the PECVD had 75∼80㎚ thickness and 2 to 2.1 for a refractive index. The silver and aluminium electrodes for front and back sheet, respectively, were for medby screen-printing method, followed by firing in 400-425-450-550-850℃ five-zone temperature conditions to make the ohmic contact. Drive-in temperature was changed in range of 830℃ to 890℃ to obtain the sheet resistance 30∼70Ω/□ with 10Ω/□ intervals.
Solar cell made in 890℃ as the drive-in temperature revealed 17.1% conversion efficiency which is best in this study. This solar cells showed 34.4 ㎃/㎠ of the current density, 627 ㎷ of the open circuit voltage and 79.3% of the fill factor.

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
참고문헌

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