소스 피드백을 이용한 고이득 W-band MMIC 증폭기 설계

박상민; 김영민; 고유민; 서광석; 권영우; 정진호

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박상민 (광운대학교) 김영민 (서울대학교) 고유민 (서울대학교) 서광석 (서울대학교) 권영우 (서울대학교) 정진호 (서강대학교)

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-TC 電子工學會論文誌第47卷 TC編第10號

발행연도: 2010.10

수록면: 74 - 79 (6page)

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본 논문에서는 70 ㎚ mHEMT MMIC 기술을 이용한 고이득 W-band 증폭기를 제시한다. W-band에서 고이득 특성을 얻기 위하여 공통 소스 FET의 소스 피드백 라인의 길이를 조절하면 설계 주파수에서 이득이 최대가 되도록 하였다. 이 라인의 길이를 조절하여 94 ㎓에서 MAG를 0.8 ㏈ 향상 시킬 수 있음을 시뮬레이션에서 확인하였다. 뿐만 아니라, 이 소스 피드백 라인은 FET의 입력 임피던스도 변화시켜 입력 정합을 용이하게 한다. 이 현상을 이용하여 공통 소스 FET 4단으로 이루어진 W-band 증폭기를 CPW로 설계하였다. 제작된 W-band 증폭기는 측정 결과 70∼103 ㎓에서 22.0 ㏈ 이상의 아주 우수한 이득 특성을 보였다.

#amplifier #HEMT #MMIC #W-band

참고문헌 (13)

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1. [학술대회논문] - C. Schworer / 2002 / Coplanar High Performance MMICs in MHEMT and PHEMT Technology for Applications up to 100 GHz / Proc. Gallium Arsenide & Other Semiconductors Application Symposium : 511 ~ 514

2. [학술지(정기간행물)] - P. C. Chao / 1990 / W-band low-noise InAlAs/InGaAs lattice-mat ched HEMT's / IEEE Electron Device Letters 11 : 59 ~ 62

3. [기타자료] - K. C. Hwang / 1994 / W-band high power passivated 0.15 $\mu$m InAlAs/InGaAs HEMT device / Proc. Indium Phosphide and Related Materials : 18 ~ 20

4. [기타자료] - K. H. G, Duh / 1993 / Advanced millimeter-wave InP HEMT MMIC's / Proc. Indium Phosphide and Related Materials : 493 ~ 496

5. [학술대회논문] - J. W. Archer / 2000 / Ultra-Low-Noise InP-MMIC Amplifiers for 85-115 GHz / 2000 Asia-Pacific Microwave Conference : 173 ~ 176

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