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장우진 (한국전자통신연구원) 지홍구 (한국전자통신연구원) 임종원 (한국전자통신연구원) 안호균 (한국전자통신연구원) 김해천 (한국전자통신연구원) 오승엽 (충남대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2006년 하계종합학술대회
발행연도
2006.6
수록면
593 - 594 (2page)

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In this paper, we introduce the design and fabrication of Vband power amplifier MMIC with excellent gain-flatness for IEEE 802.15.3c WPAN system. The V-band power amplifier was designed using ETRI’s 0.12 ㎛ PHEMT process. The PHEMT shows a peak transconductance (G<SUB>m,peak</SUB>) of 500 ㎳/㎜, a threshold voltage of -1.2 V, and a drain saturation current of 49 ㎃ for 2 fingers and 100 ㎛ total gate width (2f100) at V<SUB>ds</SUB>=2 V. The RF characteristics of the PHEMT show a cutoff frequency, f<SUB>T</SUB>, of 97 ㎓, and a maximum oscillation frequency, f<SUB>max</SUB>, of 166 ㎓. The gains of the each stages of the amplifi ... 전체 초록 보기

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