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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.10
- 수록면
- 616 - 621 (6page)
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New type of the base material of the light-emitting diode requires copper wafer in view of heat and electrical conductance. Therefore, polishing process of the substrate level is needed to get a nanometer level of surface roughness as compared with pattern structure of nano-size in the semiconductor industry. In this paper, a series of lapping and polishing technique is shown for the rough and deflected copper substrate of thickness 3㎜. Lapping by sand papers tried air cooling method. And two steps of polishing used the diamond abrasives and the Al₂O₃ slurry of size 100㎚ considering the residual scratch. White-light interferometer proved successfully a mirror-like surface roughness of Ra 6nm on the area of 0.56㎜×0.42㎜.
목차
Abstract
1. 서론
2. 기판 연마 장치 및 연마 메카니즘(mechanism)
3. 기판 연마 공정 실험
4. 결론
후기
참고문헌
참고문헌 (6)
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1. [인터넷자원] - / / http://www.waferworld.com / Waferworld
2. [학술대회논문] - Chu, J / 2004 / Large Emitting Area GaN Based Light Emitting Diode Fabricated on Conducting Copper Substrates / The 17th IEEE Annual Meeting of LEOS : 282 ~ 283
3. [학술지(정기간행물)] - Li, Z / 2004 / Effect of Slurry Flow Rate on Tribological, Thermal, and Removal Rate Attributes of Copper CMP / J. Electrochemical Society 151 : G482 ~ 487
4. [학술지(정기간행물)] - Sorooshian, J / 2004 / Arrhenius Characterization of ILD and Copper CMP Processes / J. Electrochemical Society 151 : G85 ~ 88
5. [학술지(정기간행물)] - Li, Z / 2005 / Comparison of Copper Disc and Copper Wafer Polishing Processes in Terms of their Kinetic, Tribological, and Thermal Characteristics / IEEE Transaction on semiconductor manufacturing 18 (4) : 681 ~ 687
2. [학술대회논문] - Chu, J / 2004 / Large Emitting Area GaN Based Light Emitting Diode Fabricated on Conducting Copper Substrates / The 17th IEEE Annual Meeting of LEOS : 282 ~ 283
3. [학술지(정기간행물)] - Li, Z / 2004 / Effect of Slurry Flow Rate on Tribological, Thermal, and Removal Rate Attributes of Copper CMP / J. Electrochemical Society 151 : G482 ~ 487
4. [학술지(정기간행물)] - Sorooshian, J / 2004 / Arrhenius Characterization of ILD and Copper CMP Processes / J. Electrochemical Society 151 : G85 ~ 88
5. [학술지(정기간행물)] - Li, Z / 2005 / Comparison of Copper Disc and Copper Wafer Polishing Processes in Terms of their Kinetic, Tribological, and Thermal Characteristics / IEEE Transaction on semiconductor manufacturing 18 (4) : 681 ~ 687
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