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The β-In₂Te₃ single crystal was grown by vertical Bridgman method. The β-In₂Te₃ single crystal had a face centered cubic(fcc) structure. The lattice constants were found to be a = 0.617 Å. The direct optical energy gap (Eg) was found to be 1.11 ev at 300 K. Raman spectra peak of β-In₂Te₃ single crystal showed the low ELO mode at 105 ㎝?¹. The electrical conduction type was measured by the thermal method and was p-type. The electrical conductivity was found to be 1.8 × 10?² Ω?¹㎝?¹ at 300 K. The activation energy was found to be 0.51 eV.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (10)
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1. [학술지(정기간행물)] - M.A.M. Seyam / 1980 / Dielectric relaxation in polycrystalline thin film of In2Te3 / App. Sur. Sci. 181 : 128 ~
2. [학술지(정기간행물)] - N. A. Hegab / 1998 / Effect of annealing on the structure and electrical properties of In2Te3 / J. Mater. Sci. 33 : 2441 ~
3. [학술지(정기간행물)] - R. R. Desai / 2005 / Growth and structural properties of indium sesquitelluride In2Te3 thin films / Mater. Chemi. Phys. 94 : 308 ~
4. [학술지(정기간행물)] - R. Goto / 2003 / Temperature dependence of the microscopic structure of liquid In2Te3 : Ab Initio molecular-dynamics simulation / J. Phys. Soc. Japan 72 : 320 ~
5. [학술지(정기간행물)] - J. Nagao / 1999 / Low temperature electrical properties of β-In2(1-x)Bi2xTe3 semiconductors / AIST 73 : 14 ~
2. [학술지(정기간행물)] - N. A. Hegab / 1998 / Effect of annealing on the structure and electrical properties of In2Te3 / J. Mater. Sci. 33 : 2441 ~
3. [학술지(정기간행물)] - R. R. Desai / 2005 / Growth and structural properties of indium sesquitelluride In2Te3 thin films / Mater. Chemi. Phys. 94 : 308 ~
4. [학술지(정기간행물)] - R. Goto / 2003 / Temperature dependence of the microscopic structure of liquid In2Te3 : Ab Initio molecular-dynamics simulation / J. Phys. Soc. Japan 72 : 320 ~
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