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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.11
- 수록면
- 145 - 150 (6page)
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a-C films deposited by d.c. magnetron sputtering were used in a case study to determine the relationship between some deposition parameters, such as changing substrate bias and temperature. The test films, ranging in thickness from 130 to 230nm, were deposited on silicon wafers(100) with silicon strip. The residual stress was evaluated for using the surface curvature method by means of Stoney's equation. Here, we controlled the velocity of carbon atom crashing into substrate by two type substrate bias method. In case of continuing bias induced method, compressive residual stress(-2.79, -1.48Gpa) was increased with growing thickness and hardness. In the rectangular wave bias induced method, on the other hand, the value of compressive residual stress(-0.14, -O.085Gpa) was almost zero at any thickness and hardness level. It was considered to have relations with the movement of multi-layer G-peak, which was created by bias volt adjustment in film deposition process, to a lower shift, the increase of bonding strain in Sp2 net work and the generation of Sp3. Therefore, compressive residual stress could be controlled by rectangular wave bias induced method.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
후기
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