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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.4
- 수록면
- 25 - 30 (6page)
이용수
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The total relaxed stress in annealing and the thermal strain/stress were obtained from the identification of
the residual stress-free state using electronic speckle pattern interferometry (ESPI). The residual stress fields
in case of both single and film/substrate systems were modeled using the thermo-elastic theory and the
relationship between relaxed stresses and displacements. We mapped the surface residual stress fields on the
indented bulk Cu and the 0.5 ㎛Au film by ESPI. In indented Cu, the normal and shear residual stress are
distributed over -1.7 GPa to 700 MPa and -800 GPa to 600 MPa respectively around the indented point and in
deposited Au film on Si wafer, the tensile residual stress is uniformly distributed on the Au film from 500
MPa to 800 MPa. Also we measured the residual stress by the x-ray diffractometer (XRD) for the verification
of above residual stress results by ESPI.
the residual stress-free state using electronic speckle pattern interferometry (ESPI). The residual stress fields
in case of both single and film/substrate systems were modeled using the thermo-elastic theory and the
relationship between relaxed stresses and displacements. We mapped the surface residual stress fields on the
indented bulk Cu and the 0.5 ㎛Au film by ESPI. In indented Cu, the normal and shear residual stress are
distributed over -1.7 GPa to 700 MPa and -800 GPa to 600 MPa respectively around the indented point and in
deposited Au film on Si wafer, the tensile residual stress is uniformly distributed on the Au film from 500
MPa to 800 MPa. Also we measured the residual stress by the x-ray diffractometer (XRD) for the verification
of above residual stress results by ESPI.
목차
Abstract
1. 서론
2. ESPI를 이용한 변형장 측정
3. ESPI를 이용한 잔류 응력장 평가
4. 실험결과 및 고찰
5. 결론
후기
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