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본 논문에서는 접지 결함 구조(Defected Ground Structure: DGS)를 이용하여 기지국용 고효율 E급 전력 증폭기의 성능을 유지하면서 크기를 소형화 할 수 있는 방안을 제안하였다. E급 전력 증폭기에서 요구되는 고조파 임피던스는 아령형 DGS와 나선형 DGS를 사용함으로써 만족시켜 주었다. 제안하는 유사 E급 전력 증폭기의 DGS 부하 회로는 가장 큰 고조파 성분인 2차 고조파 대역에서 개방, 나머지 고차 고조파 임피던스는 단락에 가까운 고조파 임피던스를 갖는다. 제안하는 구조를 통하여 제작된 전력 증폭기는 출력 전력이 43.1 ㏈m, 포화 전력 이득이 12.7 ㏈일 때 70.2 %의 전력 부가 효율(Power Added Efficiency: PAE)을 가지며, 이는 비교 대상인 E급 증폭기와 거의 유사한 값이다. 회로 크기의 관점에서 보면 각각의 고조파 성분 정합을 위해 여러 개의 스터브가 장착되어 있는 비교 대상인 E급 증폭기에 비해 전체 크기를 50 %로 소형화시킬 수 있었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. DGS 부하회로 설계
Ⅲ. DGS 부하회로를 장착한 E급 증폭기의 설계
Ⅳ. 제작 및 측정 결과
Ⅴ. 결론
참고문헌
참고문헌 (9)
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1. [단행본] - S. C. Cripps / 2002 / Advanced Techniques in RF Power Amplifiers Design / Artech House
2. [학술지(정기간행물)] - N.O.Sokal / 1975 / Class E–A new class of high-efficiency tuned single-ended switching power amplifiers / IEEE Journal of Solid-State Circuits 10 (3) : 168 ~ 176
3. [학술지(정기간행물)] - F.H.Raab / 1977 / Idealized operation of the class E tuned power amplifier / IEEE Trans.Circuits and Systems 24 (12) : 725 ~ 735
4. [학술지(정기간행물)] - A.J.Wilkinson, / 2001 / Transmission-line load-network topology for class-E power amplifiers / IEEE Trans.Microw.Theory Tech. 49 (6) : 1202 ~ 1210
5. [학술지(정기간행물)] - Y.S.Lee / 2007 / A high-efficiency class-E GaN HEMT power amplifier for WCDMA applications / IEEE Microw.Wireless Compon.Lett. 17 (8) : 622 ~ 625
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3. [학술지(정기간행물)] - F.H.Raab / 1977 / Idealized operation of the class E tuned power amplifier / IEEE Trans.Circuits and Systems 24 (12) : 725 ~ 735
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5. [학술지(정기간행물)] - Y.S.Lee / 2007 / A high-efficiency class-E GaN HEMT power amplifier for WCDMA applications / IEEE Microw.Wireless Compon.Lett. 17 (8) : 622 ~ 625
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