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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.12
- 수록면
- 1 - 6 (6page)
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본 논문에서는 전력증폭기의 입력신호의 크기에 따라 CMOS class-E 전력증폭기의 게이트와 드레인의 바이어스 전압을 조절함으로써 낮은 출력전력에서도 80% 이상의 고효율 특성을 갖는 CMOS class-E 전력증폭기를 설계하였다. 입력신호의 포락선을 검파하여 전력증폭기의 바이어스 전압을 조절하는 방법을 이용하였고, 동작주파수는 2.14㎓, 출력전력은 22㏈m에서 25㏈m, 전력부가효율은 모든 입력전력레벨에서 80.15%에서 82.96%의 특성을 얻을 수 있었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Class-E 전력증폭기 동작원리
Ⅲ. Bias Control Method
Ⅳ. CMOS Class-E 전력증폭기 설계
Ⅴ. 바이어스 조절을 이용한 CMOS Class-E 전력증폭기 설계
Ⅵ. 결론
참고문헌
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1. [단행본] - Steve C. Cripps / 1999 / RF Power Amplifiers for Wireless Communications / Artech House
2. [학술대회논문] - P. Gray / 1995 / Future directions of silicon IC’'s for RF personal communications / Custom Integrated Circuits Conf : 83 ~ 90
3. [학술지(정기간행물)] - N. O. Sokal / 1975 / Class E—a New Class of High-Efficiency Tuned Single-Ended Switching Power Amplifiers / IEEE Journal of Solid-State Circuits SC-10 (3) : 168 ~ 176
4. [학술대회논문] - N. O. Sokal / 1980 / Class-E Switching-Mode RF Power Amplifiers-Low Power Dissipation, Low Sensitivity to Component Tolerances and Well Defined Operation / the 1979 IEEE ELECTRO Conference : 33 ~ 38
5. [학술대회논문] - N. O. Sokal / 1998 / Class E High-Efficiency Switching-Mode Power Amplifiers, from HF to Microwave / IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
2. [학술대회논문] - P. Gray / 1995 / Future directions of silicon IC’'s for RF personal communications / Custom Integrated Circuits Conf : 83 ~ 90
3. [학술지(정기간행물)] - N. O. Sokal / 1975 / Class E—a New Class of High-Efficiency Tuned Single-Ended Switching Power Amplifiers / IEEE Journal of Solid-State Circuits SC-10 (3) : 168 ~ 176
4. [학술대회논문] - N. O. Sokal / 1980 / Class-E Switching-Mode RF Power Amplifiers-Low Power Dissipation, Low Sensitivity to Component Tolerances and Well Defined Operation / the 1979 IEEE ELECTRO Conference : 33 ~ 38
5. [학술대회논문] - N. O. Sokal / 1998 / Class E High-Efficiency Switching-Mode Power Amplifiers, from HF to Microwave / IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
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