고효율 전력증폭기 설계를 위한 새로운 고조파 조절 회로 기반의 입출력 정합 회로

최재원; 서철헌

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자료유형: 학술저널

저자정보: 최재원 서철헌

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-TC 電子工學會論文誌 TC編第46卷第2號

발행연도: 2009.2

수록면: 141 - 146 (6page)

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본 논문에서는 새로운 고조파 조절 회로를 이용한 Si LDMOSFET 고효율 전력증폭기를 구현하였다. 본 고조파 조절 회로는 2차, 3차 고조파 성분에 대하여 단락 임피던스를 갖으며, 입출력 정합 회로를 설계하기 위하여 사용된다. 제안된 고조파 조절 회로의 효율 개선 효과가 class-F 혹은 inverse class-F 고조파 조절 회로 보다 우수하다는 것을 증명하였다. 또한, 고조파조절 회로가 출력 정합 회로뿐만 아니라, 입력 정합 회로에도 사용될 경우, 제안된 전력증폭기의 효율은 더욱 더 개선된다. 제안된 전력증폭기의 최대 전력 효율 (PAE)의 측정값은 1.71 GHz의 주파수 대역에서 82.68 %이다. Class-F와 inverse class-F 전력증폭기와 비교할 때, 제안된 전력증폭기의 최대 PAE 측정값은 5.08 ～ 9.91 % 향상된다.

#Power amplifier #high-efficiency #novel harmonic control circuit #class-F #inverse class-F #LDMOSFET

참고문헌 (10)

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1. [학술지(정기간행물)] - S. Gao / 2006 / High-efficiency class-F RF/microwave power amplifiers / IEEE Microwave Magazine : 40 ~ 48

2. [학술대회논문] - H. Park / 2006 / High-efficiency class-F amplifier design in the presence of internal par- asitic components of transistors / European Mi- crowave Conference : 184 ~ 187

3. [단행본] - S. C. Cripps / 1999 / RF Power Amplifiers for Wireless Communications / Artech House

4. [학술지(정기간행물)] - F. Fortes / 2001 / A second harmon- ic class-F power amplifier in standard CMOS technology / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 49 (6) : 1216 ~ 1220

5. [단행본] - A. Grebennikov / 2004 / RF and Microwave Power Amplifier Design / McGraw-Hill

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